《炬丰科技-半导体工艺》InP 在 HCl 溶液中的蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：InP 在 HCl 溶液中的蚀刻
编号：JFKJ-21-1299
作者：华林科纳
网址：http://www.wetsemi.com/index.html

基于HC1的蚀刻剂被广泛应用于InP半导体器件，HC1溶液中其他酸的存在对蚀刻速率有显著影响，然而，InP并不溶在涉及简单氧化剂的传统蚀刻剂中，为了解决溶解机理的问题，我们研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蚀作用和电化学反应。
本研究中使用的p型InP切片由液体封装的佐克拉尔斯基材料制成，载流子密度为1-210，范围为cm-3，电极的直径为3ram，但InP旋转圆盘的直径为4mm，以Pt对映电极和饱和热量电极(SCE)为参考，在常规电池的电位控制下进行电流电位测量，采用太阳能加速器1172频率响应分析仪测定平带电位，所有阻抗测量均在10kHz的频率下进行。
通过电感耦合等离子体(ICP)发射光谱法测定蚀刻溶液中的铟浓度，分析测定了不同电位下InP的总溶解速率，实验通过InP电极，InP电极安装在玻璃微电化学流动电池中，铟浓度可低至0.5ppm，相对准确度约为5%，采用LKB可变蠕动泵通过流动池，使用着色探测器管法(“Dr~ger”管)对气体进行了定性分析，在我们的病例中，该方法给出了对磷碱有特异性的颜色反应，采用气体滴定管进行气体定量分析。

图2给出了p-InP在黑暗中的电位蚀刻结果。图2a显示了该电极在3M和6MHC1中的电流-电位曲线