《炬丰科技-半导体工艺》通过新型蚀刻和清洁方法改善半绝缘InP衬底的表面质量

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：通过新型蚀刻和清洁方法改善半绝缘InP衬底的表面质量
编号：JFKJ-21-998
作者：炬丰科技

引言

磷化铟具有良好的导热性、高抗辐射性和高电子饱和迁移率，是电子和光子器件的重要ⅲ-ⅴ族半导体。半绝缘InP单晶现在被广泛用作制造高频、高速、高功率微波器件和光电子集成电路的衬底，这些对于无线技术是不可或缺的。半绝缘(SI) InP晶片上的残留杂质和污染对于外延生长和器件性能是有害的，尤其是因为SI-InP晶片表面上的残留硅是电活性的，并且在外延层和InP衬底之间的界面处产生n型导电层。为了降低硅的浓度和改善表面质量，作者研究了一种适用于InP衬底的湿化学清洗工艺。在传统的酸性清洗工艺中加入碱性溶液，开发了一种新颖实用的清洗工艺。飞行时间二次质谱是一种非常强大的分析技术，用于表征表面和研究磷化铟表面存在的任何有机和无机污染物，在不同的清洗工艺下蚀刻样品后使用。结果表明，新的刻蚀工艺有效地减少了硅的污染。

实验

本方法中使用的样本为2英寸。直径约为400 lm的掺铁磷化铟晶片，由高压液体封装直拉法生长的单晶锭切片而成。这首先通过机械-化学抛光制备晶片，以获得无损伤的镜面，然后用有机溶剂脱脂。此后，用去离子水冲洗晶片，并分成三组，每组的晶片清洗过程如表1所示。所有湿化学清洗过程都在室温(25摄氏度)下进行。试剂的浓度和每个步骤的清洗时间如表所示I每个清洗步骤后，用去离子水冲洗。WCP1是标准的酸性清洗工艺，其中使用不同的酸性溶液去除表面天然氧化物、金属和碳表面污染物。氢氟酸由于其溶解二氧化硅的特性而被用来降低硅的浓度，尽管氢氟酸是强酸，但它不能完全去除硅杂质。
为了研究硅化合物的性质和反应，我们在传统的酸洗过程中加入了氢氧化钠，因为氢氧化钠也能溶解硅。在WCP2中ÿ