《炬丰科技-半导体工艺》湿-化学处理为纹理化的硅异质结太阳能电池的改善的表面钝化

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：湿-化学处理为纹理化的硅异质结太阳能电池的改善的表面钝化
编号：JFKJ-21-1305
作者：华林科纳

硅异质结(SHJ)太阳能电池因其成本低、效率较高而不断受到更广泛的关注。这些太阳能电池的一个重要方面是在c-硅晶片的两侧加入固有的氢化非晶硅(a-Si：H)层，由于良好的表面钝化，这提高了效率潜力，通过应用随机纹理，而不是双面抛光晶圆，实现了光学增强，从而显著减少反射和高短路电流密度(Jsc)，然而，纹理诱导的缺陷导致a-Si：H/c-Si界面的重组增加，这限制了SHJ器件在使用与平板晶片相同的清洗处理后的开路电压(Voc)。因此，工艺参数从平面到纹理c-硅衬底的一对一转移不一定合适，需要不同的湿化学处理。
为了降低界面缺陷密度，需要进行有效的预沉积处理来去除碳化硅衬基中任何可能的污染和纳米粗糙度，纳米粗糙度是指由纹理引起的碳氧化硅表面的结构不规则性，研究表明，在应用湿式化学氧化步骤和随后浸入氢氟酸(HF)后，任何可能的污染都可以完全消除。通过将碳化硅基质浸入硝酸（硝酸）溶液中，实现了氧化作用。通过这种方式，我们使用了一种类似于硝酸氧化硅(NAOS)方法，然后使用高频溶液剥离氧化硅层，在这项工作中，我们将把这种处理方法称为硝酸氧化循环(NAOC)。