信号完整性对电磁兼容性的影响

随着电路速度的提高，信号完整性在电子设计中变得更加重要。更快的数据速率和更短的上升/下降时间使得从 A 点传输到 B 点更具挑战性。

信号失真和衰减同时对电磁兼容性产生不利影响。电路辐射和电路敏感性都会随着信号完整性的降低而增加。

SI 是如何导致 EMI 的？

您是否注意到，关于信号完整性 （SI） 的论文经常提到信号完整性会导致电磁干扰 （EMI）？不过，你有没有注意到，他们很少说怎么做？

使用 EMI Analyst 软件，很容易看到 SI 和 EMI 之间的联系。下面的示例具体说明了仅更改一个信号属性 skew 如何影响电缆辐射，这是许多系统的关键 EMC 特性。

信号完整性不是 EMC

在我们进入示例之前，区分一下很重要。

信号完整性和电磁兼容性 （EMC） 不是一回事。SI 和 EMC 是两个完全不同的学科。SI 和 EMC 之间存在重叠的交互，但每个交互本身都是其专长。

SI 影响 EMC

SI 关注数字电路的模拟特性。

EMC 关注的是确保电路操作不会产生过多的干扰，并且电路不易受到干扰。

SI 本质上是一个时域主题。除瞬态事件外，EMC 主要是一个频域学科。

EMC 影响 SI

设计工程师可能精通 SI，但对 EMC 知之甚少。但是，他的设计决策可能会对 EMC 产生重大影响。同样，EMC 工程师可能对 SI 知之甚少，但仍然精通 EMC 的大部分方面。两位工程师都将受益于对对方专业领域的一些了解。

SI 和 EMC 的共同点

信号完整性和 EMC 重叠。信号完整性差会从电路走线和信号线产生更大的辐射发射。同时，信号完整性差的电路比信号完整性好的电路的裕量小。给系统加上电磁干扰，SI 差的电路更容易受到影响。

信号偏斜对辐射发射的影响

下面的示例说明了 SI 影响 EMC 的一种方式。平衡差分 LDVS 信号产生的电缆辐射针对两个 SI 条件进行计算。首先，LVDS 信号的偏斜为零;然后它更改为 200 皮秒。某些频率的辐射水平变化是巨大的。

该示例使用标准辐射发射测试设置。天线与包含电路的设备保持固定距离，可在指定频率范围内（在本例中为 10 MHz 至 2 GHz）测量发射的场强。

 

预测辐射

下图显示了信号偏斜对该电路辐射发射的影响。预测的电缆辐射由红棕色线表示。辐射限值为蓝绿色线。

首先，针对电路没有信号偏斜的情况计算辐射发射。正负驱动器输出同时转换，上升和下降时间完美匹配。然后，当电路只有 200 皮秒的信号偏移时，计算辐射发射。偏移会引入大约 70 mV 的共模电压，每次电路改变状态时，该电压都会非常短暂地脉冲。

尽管两种分析都表明辐射发射低于限值，但请注意，信号偏斜会导致电缆辐射在 90 MHz 时跳动 55 dB。当存在系统中其他电路的共模噪声的附加效应时，辐射发射很容易超过限值，从而导致 EMI 测试失败。

 

 

心得

信号偏移会对电缆辐射产生巨大影响，因为它会在信号线上感应共模电压。

信号偏移只是一个信号完整性属性。其他 SI 特性，如阻抗失配、串扰、回波损耗和传播延迟也会影响 EMC。

虽然 SI 与 EMC 不是一回事，但 SI 会影响 EMC。系统电缆传输的数字信号的质量直接影响电磁干扰发射和敏感性。