Landscape design-工艺

为什么要了解工艺流程?1、了解最基础的工艺流程,可以了解工艺生产的时候可能存在的问题,以及这些问题对性能可能带来的影响,设计时可以有针对性的进行考虑;2、可以深入了解为什么需要版图设计,版图设计时有什么因素需要进行考虑;3、对工艺有一定认识,在设计时就能有一幅完成时的图景在眼前,使设计有更好的目的性。

亚微米浅槽隔离，用于隔离器件。

一、衬底准备-P衬底

黑色的为P型衬底，打开背景是黑色。

二、STI制作

有源区OD，dummy

AA对应的有源区。有源区:一般用AA或者OD表示,定义为: Definition of diffusion area

三、阱制作

四、栅氧化层制作

陷浓度更高←

版图中的diffusion区域对应于mask中的active层。在标准cmos工艺中,是先形成active区域,然后gate oxide, gate poly, n/p implant (n和p的先后顺序不记得了).implant是在active之后。由于有poly的自对准,再加上 implant区域比对应的active要稍大一点。

五、多晶硅栅制作

六、LDD与侧墙制作

OD与GT的&运算，做沟道的NLDD,PLDD。
ESD的地方不需要出现LDD的，做了就有尖端放电效应存在，则会被破坏。
ESD保护器件不会做LDD。

LDD:热载流子。圆弧形区域，侧墙这个东西。
PP,NP两个区域做LDD。

OOD,PP将沟道占领，SDI

SDI分别指代什么意思？ ： esd label，.防止尖端放电效应。

七、源漏离子注入

注入的时候，会将P型和N型多晶硅电阻电阻率的差异。由于离子注入的时候会稍微注入进去。

P型电阻，N型电阻。注入。
多晶硅电阻。poly电阻。

八、HPR工艺与Salicide工艺

Poly的时候，会用多晶硅电阻的值更高一些。
而多Poly的有源器件会在表面做一个金属硅化物，让接触电阻变小，使得其电阻变小。
先涂光刻胶将多晶硅电阻值的地方，将多晶硅电阻盖上了进行Salicide工艺。没有被光刻胶盖住的地方就做成金属硅化物。
对应的层次，RPO,就是有RPO drawing的地方，不希望去做Salcide就用ROP工艺保护起来。

对应的层次，RPO,就是有RPO drawing的地方，不希望去做Salcide就用ROP工艺保护起来。

PRO:多晶硅电阻。可以前端GDS可投出。

九、CT孔

确认器件参数后，通孔与金属做出。M1一般是铝。同工艺。M1考虑

十一、工艺流程补充

DNW，无了就是P型沉底只能接地那么会出现，背栅效应。环形结构。
则，不用接地。

1、DNW

用于nomos管的背栅效应。

注：PW，可以通过P型沉底和外面相连。SP与。

源漏离子注入后，在沟道里面在进行的时候，

补充

DNW铺满“：

2、LVT

lvs工艺过了。mask很贵。每一层光刻胶会有一层掩模版，一层几万几十万。掩模版。
真么多mask出现。
对板子的阈值电压进行稍微调制。慎用。多浪费钱。

3、三种电容

MIM:M4和M5之间又去做两次金属。

两层金属的MIM。

MOM:金属间的电容（不变）

VARACTOR
可以通过改变电压来改变电容的容值。(可改变)