片上变化（on chip variation，OCV）概念学习

最新推荐文章于 2025-06-03 13:35:11 发布
原创 最新推荐文章于 2025-06-03 13:35:11 发布 · 1.5k 阅读 · 4 ·
CC 4.0 BY-SA版权
欢迎点赞哦!
文章标签：

#STA

本文探讨了集成电路设计中的时序分析，特别是建立和保持关系在最坏情况下的考虑。时钟路径被分为最慢和最快路径以评估建立时间，并考虑片上变化（On-Chip Variation, OCV）带来的不确定性。OCV导致时序分析裕量减少，一些工具通过补偿公共段延迟差异来应对。此外，提到了时钟网络悲观效应降低的概念，用于修正时钟树延迟的不一致性。

参考：《Contraining Designs for Synthesis and Timing Analysis》 3.8 On-Chip Variation

在这里插入图片描述

我们知道建立关系：
tlaunch+tclk2q+tC1+tsetup<tcapture+tcyclet_{launch} + t_{clk2q} + t_{C1} + t_{setup}< t_{capture} + t_{cycle} tlaunch​+tclk2q​+t

最低0.47元/天 解锁文章
【转】后端基础概念：各种OCV一网打尽
叫好与叫座虽然不是对立面，但想在同一个作品中达到双重效果很难。
04-22 4179
还在烦恼IC设计中的OCV、AOCV、POCV、SOCV和LVF傻傻分不清？今天我们就来逐个谈谈它们究竟是什么东西。芯片在实际生产中，同一片晶圆上的不同区域的芯片，因为各种外部条件和生产条件的变化(variation)比如：工艺(Process)，电压(Voltage)，温度(Temperature)等，可能会产生不同的误差从而**导致同一块晶圆上某些区域上的芯片里的晶体管整体速度变快或变慢，**因此有了corner的概念。而与此同时，在同一块芯片上的不同区域。
OCV (on-chip-variation)
kevindas的博客
07-10 2210
Chip上类型完全相同的cell，由于它们所处的位置不同，会受到工艺（掩模、光校准、刻蚀等）、电压、温度等因素的影响不同，导致cell对外呈现出的delay也是不一样的。由于影响的因素较多，delay大体呈现高斯分布的特性。 如果我们单纯地只使用best case或worst case去分析时序，就会遗漏如下一些问题。 Setup问题 对于一条critical的path，只在worst case下分析可能是没有问题的： 但是如果CLKBUF2的情况要比实际好一点的话（delay），那么就会导致
【数字后端设计】CPPR详解
m0_61003348的博客
09-02 9193
全称是on chip variation，同一片wafer上，因为片上工艺的误差，导致不同位置的chip性能不一样。同一块chip，不同位置上的同一类cell的性能也会有差异。为此我们引入OCV的概念，用来在设计阶段模拟这些片上误差。，这会导致结果过于悲观，所以需要去除这个计算的悲观量。，重新构建时钟网络，并计算所有的起点终点。对公共路径的影响不一定是相同的，因此。在同一个时钟沿采样，同沿时钟对应的。会选择路径的max delay，对公共路径的影响是相同的，因此。补偿，保留一定的悲观度，因此。
静态时序分析——On-chip Variation
沧海一升的博客
08-29 1万+
OCV（on-chip variation）是指在同一个芯片上, 由于制造工艺和环境等原因导致芯片上各部分特征不能完全一样，从而造成偏差，对时序分析造成影响。这些偏差对互联线和cell的延时都是有影响的。
On-chip Variations
druidfly的专栏
11-07 507
OCV(On-chip Variations), caused by PVT variation. set_timing_derate -early 0.8 (capture clock path for setup checks or launch clock path for hold checks, early < 1 缩小) set_timing_derate...
什么是 OCV（On-Chip Variation）？
hungtaowu的博客
05-08 711
OCV，就是片上工艺变异建模。在一颗芯片上，不同区域的工艺参数（比如延迟、阈值电压Vth、电流驱动能力）会因为制程微小变化产生不同的速度偏差。→ 有些地方跑得快，有些地方跑得慢！所以静态时序分析（STA）时，不能只拿“理想值”去算，要考虑这些随机波动，防止局部过快或过慢导致的 setup/hold fail。
在静态时序分析中计算时钟延迟需要考虑以下哪些因素（ACD） A、时钟源的抖动（jitter） B、寄存器的建立和保持时间 C、时钟树不平衡引入的偏差（skew） D、工艺特性造成的on-chip variation
最新发布
10-25
工艺特性造成的on - chip variation（OCV）指芯片上的变化，即使发射时钟路径和捕获时钟路径完全相同，它们的路径延迟仍可能因OCV而不同，这实质上增加了时钟偏差[^3]。不同的工艺特性，如晶体管的尺寸、阈值电压等...
gerenbiji个人比及
09-16
芯片制造过程中的on-chip variation（全片上变化）是指出现在芯片内部的物理和电气特性变化，这些变化导致即使相同的设计和工艺条件下的单元或路径也会表现出不同的时延性能。OCV分析是考虑这种变化的一种方法，其...
STA之OCV
diedai7174的博客
08-21 2494
Timing sign-off Corner = library PVT +RC Corner + OCV 针对每个工艺结点，foundry都会给出一张类似的timing sign-off表格，定义了所有需要做timing sign-off的corner（实际需要sign-off的corner还需要乘以工作模式，对于STA，不同的工作模式，用不同的SDC文件予以区别） uncer...
片上偏差模式OCV,AOCV,SOCV
seu他山之石的博客
05-27 4596
片上偏差模式OCV,AOCV,SOCV OCV:On Chip Variation AOCV:Advance On Chip Variation SOCV:Statistic On Chip Variation 一、OCV模式 OCV又称片上偏差模式，传统的PVT条件的时序分析仅能表征全局波动。 全局波动：整个芯片上的工艺参数波动，又称片间波动 ...
数字IC后端知识扫盲——OCV（上）
笨蛋大乌龟的博客
01-08 4132
芯片在实际生产中，同一片晶圆上的不同区域的芯片，因为各种外部条件和生产条件的变化（variation）比如：工艺*（process），电压（Voltage），温度（Temperature），可能会产生不同的误差从而导致同一块晶圆上某些区域上的芯片里的晶体管整体速度变快或变慢，因此有了corner的概念，与此同时，在同一块芯片上的不同区域，也会因为上述因素而有进一步的差异（variation），因此产生了OCV（On chip Variation）的概念。可以看出对于不同的depth，有不同的table值。
ocv ，aocv,socv
qq_34110120的博客
08-09 4048
         在基于工艺库的分析方法中现在主要有三种分析模式：单一工艺模式（signal model）；最好最坏模式(bc_wc);ocv（片上分析模式）。本文中主要介绍现在最为常用的ocv分析模式.        工艺偏差在更加先进的工艺节点上别的尤为重要;最初使用工艺偏差方法学(on-chip variation,OCV)使用一个系数因子在整条时序路径上放大缩小来模仿工艺变化,这种方法学...
OCV、AOCV、POCV、LVF介绍
热门推荐
hepiaopiao_wemedia的博客
08-09 6万+
芯片在生产过程中，由于外界条件和生产条件的变化，比如PVT，可能会产生不同的误差从而导致同一晶圆上不同区域上的芯片里的晶体管速度变快或者变慢，并因此产生corner概念。 一、OCV介绍（on chip variation）： 同理，同一块芯片上的晶体管也会有变快或者变慢的现象，因此产生了OCV的概念。 OCV在path上设置统一的derate，悲观度较高。derate数值是指对launch...
setAnalysisMode
qq_44347276的博客
09-20 915
当设置为false，timing optimization会使用path group进行时序优化，clock domain相关的命令都被禁用，path group相关的命令：group_path | reset_path_group | createBasicPathGroups | setPathGroupsOptions | reportPathGroupOptions，如果没有创建path groups，工具会使用basic group。决定是否将来自网表和约束文件的常量值应用在分析中。
PT静态时序分析的三种模式
Augusdi的专栏
03-17 4468
翻译自PT的使用手册。 PT有三种分析模式，分别是single operation analysis mode，best case/worst case analysis，on-chip variation analysis。 1. single operation analysis模式 PT只使用一种operation condition的进行时序检查。 如只报告best-case的情况：...
SOC、SOH、OCV
m0_61973119的博客
11-28 2万+
1）放电实验法的测量SOH结果最为准确，但是深度放电会对影响电池的寿命;2）电阻折算法仅将电阻作为评价SOH的依据，但电池老化时电阻的变化范围较小，因此该方法的误差较大;3）电阻折算法需要对电池进行大量的实验，绘制成Map图，但是该方法有一定的局限性，针对不同的电池需要绘制不同的Map图;4）阻抗分析法是目前最为前沿的方法，可以根据阻抗谱较为直观的分析SOH的变化，但是该方法需要的成本较高，每台设备约为5万美元。
OCV 、AOCV、POCV还在傻傻分不清吗
weixin_44675561的博客
05-15 3063
同一块芯片上的晶体管会有变快或者变慢的现象，因此产生了OCV的概念。OCV在path上设置统一的derate，悲观度较高。derate数值是指对launch、capture、data line的cell或者net上添加一个比理想情况更为悲观的倍数，比如针对setup，launch的derate统一设置为1.1，表示delay时间增加值原来的1.1倍，capture的derate统一设置为0.9，表示delay时间变为原来的0.9倍。从而使设计能够覆盖实际生产过程中产生的variation。
什么是ocv？
weixin_45371279的博客
06-03 764
是指由于半导体制造工艺的非理想性，导致同一芯片上不同位置的器件（如晶体管、互连线）参数存在差异，从而引起电路性能（如延迟、功耗）的变化。这种变异是不可避免的，因为制造工艺无法做到绝对均匀，会导致器件尺寸、材料特性、掺杂浓度等参数在芯片不同区域存在微小偏差。OCV 是集成电路设计中必须考虑的物理效应，直接影响时序收敛和芯片良率。通过 EDA 工具的 OCV/AOCV 分析功能，设计师可以更准确地评估工艺变异对电路的影响，在设计复杂度、功耗、面积之间取得平衡，确保芯片在实际制造后满足性能要求。
静态时序分析-OCV和time derate
sinat_41774721的博客
06-22 1万+
因此不需要在latepath上，即lauchclockpath以及datapath上再加timederate,因为在WC条件下，launchclockpath以及datapath上的延迟已经是所有条件下最差的delay了，没有必要再加大延迟，但是WC条件下captureclockpath上的delay肯定不是最小的，因此需要加快。，在芯片生产过程中，由于刻蚀，不同点的温度，金属不均匀，串扰，晶体管沟道长度等影响因素，导致片上各个位置单元延迟不一样。......
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

ChipWeaver

觉得有用的话点个赞吧 :)

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值