内存规格的解释(Unbuffered DIMM,Registered DIMM和SODIMM)

常见的[内存]模组有三种:Unbuffered DIMM,Registered DIMM和SODIMM。

首先解释DIMM的含义,DIMM指Dual Inlined Memory Module,即双列直插式[内存]模组。

Unbuffered DIMM:指没有经过缓冲,定位在桌面市场,是市面上最常见的[内存]模组。

早期的SDR[内存]模组,有Buffered类型的,现在已经很少见了。Buffered[内存]模组和后面提到的Registered[内存]模组并不是同一个东西,Buffered[内存]模组是将地址和控制信号等经过缓冲器,没有做任何时序调整(缓冲器延迟是有的);而Registered[内存]模组则对地址和控制信号等进行寄存,在下一个时钟到来时再触发输出。

Registered DIMM:其地址和控制信号经过寄存,时钟经过PLL锁相,定位在工作站和服务器市场

Registered[内存]模组,相对于Unbuffered[内存]模组,优点是无论是模组级还是主板级,都更易于实现更高的容量,稳定性也有所加强,但对于单个的读写访问,会滞后一个时钟周期。

SODIMM:Small Outline DIMM,定位于笔记本市常

SODIMM是相对于DIMM而言的,前面提到的Unbufferd DIMM和Registered DIMM都隶属于DIMM,[内存]模组的长度等,包括金手指的信号分布在内都是一样的。而SODIMM可以理解为小一号的[内存]模组。

Registered DIMM的时序:
Registered DIMM和其他[内存]条相比增加了两种关键的器件,PLL和register。


PLL:Phase Locked Loop,锁相环,在模组中起到调节时序,增加时钟驱动力的作用。

一般而言,无论是SDR还是DDR或DDR2的PLL,其输入输出管脚及其工作原理都是相似的。应用在[内存]模组上的PLL一般都有一个时钟输入,一个 Feedback反馈输入,数个时钟输出及一个Feedback反馈输出。PLL的两个输入间为零延迟,也就是,FBin和CKin之间的相位差为零;而所有输出包括FBout之间也是零相位差。

Registered DIMM的PLL控制时序原理,是通过调节FBin和SDRAM的时钟相位差为零,使PLL的时钟输入端和SDRAM的时钟输入端的相位差为零。

而Register 芯片的时钟输入相位,在Raw card的设计中一般也会设置为与SDRAM的时钟输入同相位。当然,这两个时钟间的延迟是可以由设计者根据实际情况做控制优化,以保证正常的地址和控制信号的采样。至于为何如此,涉及到总线时序方面的内容,这部分留待以后由Ming讲解。

Register:

Registered DIMM的Register芯片,其实可以当做多个D触发器的并联,在时钟翻转的时候将触发器的D输入端信号(即地址和控制信号)触发输出,可以增大地址和控制信号的驱动力以及调节优化时序关系。

Register 芯片的时钟信号由PLL提供,与SDRAM时钟输入的相位延迟可通过调节从PLL到Register的走线长度和输入电容调节,以保证地址和控制信号在 Register芯片触发输出后能在适当的时候到达SDRAM的输入管脚,确保正常的地址和控制信号的采样。

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### 回答1: DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Design Specification是一种内存规范,旨在规定未缓存的DIMM模块所需的特性和规格。DDR4 SDRAM是当前最先进的内存技术之一,它与DDR3 SDRAM相比有更高的速度和更低的功耗。 DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Design Specification规定了DIMM模块的物理和电气特性,包括多通道、引脚排布、信号时序、信号质量等。此外,该规范还规定了DIMM模块的最大容量和速度。例如,DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM支持最高容量为16 GB,速度可达3200 Mbps。 DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Design Specification还规定了DIMM模块的功能操作和控制信号。例如,预充电(precharge)和排放(discharge)操作,数据进出(read/write)操作,以及如何处理不同类型的初始访问。这些规范非常重要,因为它们确保了DIMM模块在各种计算机系统中的兼容性和稳定性。 总之,DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Design Specification是一种非常重要的内存规范,它确保了未缓存的DIMM模块的稳定性和兼容性,同时也支持更高速度和更大容量的内存需求,是一项在计算机内存行业中的重要进展。 ### 回答2: DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Design Specification是DDR4内存模块的设计规范。内存是计算机存储器的一种,DDR4是一种高速、高密度的内存类型。DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM是非缓存的内存条模块,其设计规范围涵盖了电气特性、功耗、时序、接口、时钟、信令等方面的内容。 该设计规范主要分为三个部分:电气规范、机械规范和引脚定义。其中,电气规范主要描述了DDR4内存模块的主要电气特性,包括供电电压、驱动能力、抗干扰能力等。机械规范则定义了DDR4内存模块的外形尺寸、连接方式、插槽位置等信息。引脚定义部分则对DDR4内存模块的管脚进行详细说明,包括时钟、数据、电源、地线等。 DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM设计规范的发布,为计算机硬件设计方提供了基础标准,帮助降低了DDR4内存模块的制造成本和研发时间,并且更好地发挥了DDR4内存模块的高速、高密度特性,提升了计算机的性能和稳定性。 ### 回答3: DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Design Specification是指DDR4内存的设计规范,其中的“Unbuffered DIMM”是一种无缓存DIMM,也就是说在内存模块中没有缓存芯片,直接将DRAM与主板或CPU相连,可以是单通道或双通道,主要用于家庭电脑和工作站等低端应用。该规范针对无缓存DIMM的设计和测试进行了详细描述。 该规范包括了DDR4内存的接口方式、电气特性、时序要求、相位校准、时钟同步、容量和排列、可靠性和测试等方面的内容。其中,接口方式包括Pin排列和功能、信号分组和电源分配;电气特性包括电压、电流、功率和阻抗等;时序要求包括时钟速率、延迟时间、传输速率和总线带宽等;相位校准和时钟同步包括各时钟信号的对准和延迟控制等;容量和排列主要关注内存组件的密度和排布方式;可靠性和测试包括内存测试标准和故障排查等内容。这些规范和要求的确保了DDR4内存的性能稳定和可靠性。 总之,DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM Design Specification规范在DDR4内存无缓存DIMM方面进行了详细的要求和描述,使得这些内存具有较高的性能和可靠性,得到广泛的使用。

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