FSMC—扩展外部SRAM
SRAM控制原理
STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间,但当程序较大,内存和程序空间不足时,就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。STM32F103ZE系列芯片可以扩展外部SRAM用作内存。
给STM32芯片扩展内存与给PC扩展内存的原理是一样的,只是PC上一般以内存条的形式扩展,而且内存条实质是由多个内存颗粒(即SDRAM芯片)组成的通用标准模块,而STM32扩展时,直接与SRAM芯片连接。
STM32F429以上系列才可以使用SDRAM,因为它的控制比较复杂。
SRAM芯片的内部功能框架
SRAM信号线
SRAM的控制比较简单,只要控制信号线使能了访问,从地址线输入要访问的地址,即可从I/O数据线写入或读出数据。
SRAM的存储矩阵
SRAM内部包含的存储阵列,可以把它理解成一张表格,数据就填在这张表格上。和表格查找一样,指定一个行地址和列地址,就可以精确地找到目标单元格,这是SRAM芯片寻址的基本原理。这样的每个单元格被称为存储单元,而这样的表则被称为存储矩阵。
地址译码器、列I/O及I/O数据电路
地址译码器把N根地址线转换成2N根信号线,每根信号线对应一行或一列存储单元,通过地址线找到具体的存储单元,实现寻址。
本实例中的SRAM比较小,没有列地址线,它的数据宽度为16位,即一个行地址对应2字节空间,框图中左侧的A0-A18是行址信号,18根地址线一共可以表示218=28x1024=512K行存储单元,所以它一共能访问512Kx16bits大小的空间。访问时,使用UB#或LB#线控制数据宽度。
IS65WV51216
512行,每行16位->1MB
访问0地址,可以活动0字节和1字节,这时候UB#和LB#就有用了。
控制电路
控制电路主要包含了片选、读写使能以及上面提到的宽度控制信号UB#和LB#。利用CS2或CS1#片选信号,可以把多个SRAM芯片组成一个大容量的内存条。OE#和WE#可以控制读写使能,防止误操作。
SRAM的读写流程
对SRAM进行读数据时,它各个信号线的时序流程如下:
对SRAM进行写数据时,它各个信号线的时序流程如下:
读写时序的流程很类似,过程如下:
(1) 主机使用地址信号线发出要访问的存储器目标地址;
(2) 控制片选信号CS1#及CS2#使能存储器芯片;
(3) 若是要进行读操作,则控制读使能信号OE#表示要读数据,若进行写操作则控制写使能信号WE#表示要写数据;
(4) 使用掩码信号LB#与UB#指示要访问目标地址的高、低字节部分&#x