【模拟CMOS集成电路设计】第二章器件

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分类专栏：拉扎维文章标签：射频工程

于 2023-04-23 19:55:32 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_56997192/article/details/130323219

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阈值电压：

定义（nmos）：界面电子浓度等于衬底多子浓度时的栅压。

耗尽层到反型层（以nmos为例）：当Vgs比较小时，衬底中的电子会被吸入氧化层下与空穴复合，直到氧化层下的大部分空穴都被负荷，形成负离子区，以镜像栅上的电荷，即耗尽层，当再增大Vgs时，即使全部的空穴都被复合完，即是纯负离子区，仍不能与栅极电荷镜像，故氧化层下就会形成一层电子层，即反型层形成。

当衬底掺杂浓度增大时，从以上分析可知，纯的负离子区可以镜像更多的栅电荷，故阈值电压增大。

当温度升高时，

器件制造过程中通常向沟道区注入杂志来调整阈值电压，其实质是改变氧化层界面附近衬底的掺杂浓度。

体效应：

Vb下降，Vb变得更负，将有更多的空穴被吸引到衬底电极，而同时留下大量的负电荷，耗尽层变得更宽，在反型层形成之前，栅极电荷必定镜像Qd（耗尽层负电荷），故阈值电压是耗尽层电荷总数的函数，所有Vb下降，Qd增加， $V_{TH}$ 也增加。

$V_{TH}=V_{TH0}+\gamma (\sqrt{\left | 2\phi _{F}+V_{SB} \right |}-\sqrt{\left | 2\phi _{F} \right |})$

在要求低阈值电压的电路中，可以通过衬底偏置来降低 $V_{TH}$ 。

沟道长度调制效应：

$\lambda$ ，沟道长度调制系数，表示给定的 $V_{DS}$ 增量所引起的沟道长度的相对变化量，因此，沟道长度L越长， $\lambda$ 越小。 $\lambda \propto \frac{1}{L}$

沟道越短，沟道长度调制效应越显著，长沟道可以减少沟道长度调制效应。

加倍L，则 $\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{DS}}\propto\frac{\lambda }{L}\propto\frac{1}{L^{2}}$ 减小为1/4, 但同时电流也会变为一半，增大W为2倍使电流恢复， $\frac{\partial I_{D}}{\partial V_{DS}}$ 变为2倍，故W，和L都增大为2倍，电流不变，沟道长度调制效应减为一半。

亚阈值导电性：

指数关系。即使 $V_{GS}$ 减为0，Id也不会减为0

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【模拟CMOS集成电路设计】第二章器件

当Vgs比较小时，衬底中的电子会被吸入氧化层下与空穴复合，直到氧化层下的大部分空穴都被负荷，形成负离子区，以镜像栅上的电荷，即耗尽层，当再增大Vgs时，即使全部的空穴都被复合完，即是纯负离子区，仍不能与栅极电荷镜像，故氧化层下就会形成一层电子层，即反型层形成。Vb下降，Vb变得更负，将有更多的空穴被吸引到衬底电极，而同时留下大量的负电荷，耗尽层变得更宽，在反型层形成之前，栅极电荷必定镜像Qd（耗尽层负电荷），故阈值电压是耗尽层电荷总数的函数，所有Vb下降，Qd增加，，沟道长度调制系数，表示给定的。
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