半导体- IDD 测试原理概述

01】

 IDD 实际上就是芯片的供电电流，也就是芯片在特定工作模式下的总电流。但是为啥不叫Supply Current而叫IDD，原因如下：

IDD表示的是 CMOS 电路中从漏极（D）到漏极（D）的电流（I），如果是 TTL 电路则称为 ICC（从集电极到集电极的电流）。

到第二步，为什么要测试IDD?

从IDD的描述咱们知道他是流入芯片的总电流，那么他肯定直接反映了IC的功耗，那么它就能被来评估和确保芯片在正常工作时的性能和功耗特性，比如续航能力。

还有就是用来验证芯片设计缺陷，看IC是否符合预期的功耗标准，帮助识别潜在的设计缺陷或不合理的电流消耗。

02】

IDD测试通常分为静态测试和动态测试。

先说静态IDD，这个也是我们在测试阶段里边中经常测试的项目。

静态IDD是指在设备（DUT）处于静止状态时，消耗的电流。例如，某些IC进入Sleep模式时，静态IDD就是芯片在这种模式下消耗的电流。为了测量静态IDD，首先需要让 IC 进入Sleep模式，并保持在这个状态，进行测量，直到测量结束。这种测试一般有两种手段，一种就是跑 pattern,另一种就是内置一段程序进行测试，具体得按实际情况决定。

比如如果得考虑实际情况，我们一般会采用内置程序，给状态进入sleep。

03】

同理，动态 IDD 指的是被测器件内部电路一直运行某些程序时电源消耗的电流。一般咱们说的动态电流是将IC工作在最大工作频率下，确保其不会超过设计阈值。

这个测试我们比较少用，因为我平时使用我们自己的IC，个别极限情况下，我都会超频，因为做图像的，为了达到一定的帧率都会超频工作，代价就是发热。一般设计都会留一定的余量。当然了，这个我们可能是个例，不具备普遍性。

04】

还有就是为了确保IDD测试的稳定性，一般都不会讲引脚浮空，必须给特定的状态。其次就是注意电源引脚的电容负载，过大的电容会造成电流稳定时间加长，甚至成为漏电的因素。所以得有一定的余量稳定时间。

另外就是测试时候，一定要给出钳位电流。