ATE 测试及IC测试原理之 IDD测试

IDD

 IDD 的定义有很多，其中包括流过 Drain to Drain（CMOS D 极）的电流；Drain to GND 的电流；Drain 的 leakage 电流等等。普遍认为最符合实际的定义应该是：IDD 的测试分动态和静态两种电流，动态 IDD 是器件在正常工作时，Drain 对 GND 的漏电流，静态 IDD 是器件在静态时 Drain 对 GND 的漏电流。
根据不同IC 测试时候,会分 sleepout_current sleepin_Current。以LCD驱动IC为例，除上两current测试，还会额外增加，displayon_current. 不同的IC 电路对应的电源不同。LCD IC通常会测试IOVCC，VSN和VSP 的IDD。

Gross IDD

它测量的是流入VDD 管脚的电流。理论上讲，IDD 测试在器件功能正确且被成功预处理的情况下才能保证测量值的正确性，但是测试的效率性要求 Gross IDD 通常在功能测试之前实施，这种情况下我们不知道器件有没有被正确的预处理，因此 Gross IDD 的边界我们通常放得很宽

测试方法：
Reset 器件或者将所有的输入管脚设置为固定的状态——低或者高，VIL 设 置为 0V，VIH 设置为 VDD；所有的输出管脚与负载断开。正确地并且尽可能简单地预处理相应的功能，使器件进入稳定的状态。一般，只是对IC进行电源的上电处理。IC有自带上电复位的功能。接下来就是测量进入器件的整体供电电流了，电流超出界限则表示功耗过大、器件失效. 。

Static IDD

静态指器件处于非活动状态，IDD 静态电流就是指器件静态时 Drain 到 GND 消耗的漏电流。静态电流的测试目的是确保器件低功耗状态下的电流消耗在规格书定义的范围内。

测试方法：
也是测量流入 VDD 管脚的总电流，与 Gross IDD 不同的是，它是在运行一定 的测试向量将器件预处理为已知的状态后进行，典型的测试条件是器件进入低功耗状态。测试时，器件保持在低功耗装态下，去测量流入 VDD 的电流，再将测量值与规格书中定义的 参数对比，判断测试通过与否。VIL、VIH、VDD、向量序列和输出负载等条件会影响测试
结果，这些参数必须严格按照规格书的定义去设置。

Dynamic IDD

动态指器件处于活动状态，IDD 动态电流就是指器件活动状态时 Drain 到 GND 消耗的电流。动态电流的测试目的是确保器件工作状态下的电流消耗在规格书定义的范围内

测试方法 ：
动态 IDD 也是测量流入 VDD 管脚的总电流，通常由 PMU 或 DPS 在器件于最高工作频率下运行一段连续的测试向量时实施，测量结果与规格书中定义的参数对比，判断测试通过与否。与静态 IDD 测试相似，VIL、VIH、VDD、向量序列和输出负载等条件会影响测试结
果，这些参数必须严格按照规格书的定义去设置。。

CP程式 代码实现。

// A code block
var foo = 'bar';

// An highlighted block
	SEND_LPAT("pat_lpmipi_11.lpa", LPAT_STA);
   、、、、、、、、、、、、、、
   、、、、、、、、、、、、、、
   、、、、、
	Test_Num(TestNum+3, "VSP_Stand_By_Current");
	JudgeVal.MCMP(I_meas[1], 12mA, 1.5mA);
	TSTime("VSP_Stand_By_Current");

	Test_Num(TestNum+4, "VSN_Stand_By_Current");
	JudgeVal.MCMP(I_meas[2], -1.5mA, -12mA);
	TSTime("VSN_Stand_By_Current");

	Test_Num(TestNum+2, "IOVCC_TP_Stand_By_Current");
	JudgeVal.MCMP(I_meas[3], 22mA, 10mA);				
	TSTime("IOVCC_TP_Stand_By_Current");