10章 有源衰减器的设计

 衰减器基础知识：

10.1.2有源衰减器的设计及仿真

设计一个有源衰减器，基本思路是采取对无源衰减器的桥式"T"形基础上，加上偏置电路。

具体指标如下：

1. 工作频带是1~2GHz；
2. 低衰减时频带内的衰减小于1.1dB,且1.4GHz处的衰减小于0.8dB。
3. 高衰减时频带内的衰减大于10dB，且1.4GHz处的衰减大于12dB。

建立衰减量可调的有源衰减器的ADS模型进行仿真，接下来手动搭建一个PIN二极管模型：

1. 新建一个cell, 命名为"Diode"（二极管）工程
   1. 新建原理图，创建所需要的PIN二极管模型
      （1）原理图中绘制如下模型：在原理图的“Lumped—Components”元器件面板列表中选择电感、电容。元件连接和参数设置如图所示：（2）添加“Var”（即变量控件）,双击VAR添加变量“Rj=80/(I^90)”,最后点击“apply”完成设置。（3）在“Diode”上单击鼠标右键，选择建立新封装“New Symbol”,即将Diode里面的原理图封装为二极管模型：（4）弹出“symbol”对话框，选择PIN二极管形状，单击【OK】,生成二极管图形：（5）1.执行菜单命令【File】—【Design Parameters...】,对模型的参数进行设置，需要设置的有：“components instance name:D”(设置封装后的二极管名称为D)；               2.添加参数模型I，预设值设为100：在“Parameters Name”框中输入I，在“Default Value”框中输入“100”，单击【Add】,将参数添加到所建立的模型PIN中。                       3.最后选中“Display parameter on schematic”,显示变量值，单击【OK】保存。完成原理图封装为模块symbol，之后可以在其他原理图中直接调用Doide这个原理图的二极管功能： 出现下图说明封装成功：
   2. 构建衰减器（Attenuator）模型，并调用上面所封装好的二极管Diode。 

（1）新建cell,命名为“Attenuator” 

（2）在【Simulation -S_Param】元器件列表中选中S参数仿真控制器（设置起始扫描频率、终止频率、步长如下：）；并添加Term端口；在Lumped-component元件控制栏里找到电阻，形成原理图如下：

（3）插入二极管过程：单击工具栏中【Display Component Library List】,弹出“ Component Library ”窗口，在“workspace Library”——单击“Diode”——右键选中“Place Component”,移动鼠标，将二极管D1、D2插入原理图中：

（4）设置D1、D2的值，分别对应衰减器较大衰减和较小衰减的情况：

D1:0.01 ,D2:100   对应大衰减情况点击【Simulate】仿真按钮进行仿真，添加S(2,1)变量，添加marker在1.4GHZ处，此时衰减大于10dB,符合要求。

若将D1设置为100，D2设置为0.01，对应小衰减情况，同样进行仿真，添加S(2,1),在1.4GHz处频带内衰减为-0.708dB,小于1.1dB,符合要求。