除了眼图，DDR4还看那些电气参数？

除了眼图，DDR4还看那些电气参数？

DDR4设计是否设计OK，就需要看DDR4的量测参数是否满足JEDEC规范。那规范中都定义了哪些电气参数呢？每个电气参数又代表了什么意义？接下来我们做简要介绍。

1. 过冲与下冲。
   信号如果在传输过程中阻抗不连续，就会出现反射，反射表现在示波器波形上，就是信号上冲和下冲，在DDR设计过程中，我们关注的不是信号在某个时间点的过冲幅值，而是过冲在时间维度的积分。关注的是一个过程，而不是一个点。

对于每个信号，协议规范都会在这4个维度上对信号完整性进行定义规范。

1. 信号的高电平和低电平。
   在高速信号传输中，信号能否达到协议规定的高电平最低门限和低电平最高门限，也直接决定了产品的稳定性。在DDR规范中，单端地址和控制命令、单端数据和数据掩码信号的AC和DC输入电平，差分时钟和数据选通信号的AC和DC输入电平都会被明确定义。仿真和测试过程中，只需要关注特定场景下的实测值有无达到协议规定值即可。

3. 差分信号交叉点电压。

为了满足信号的建立和保持时间，差分信号单端交叉点必须保证在一定的范围内。

交叉点以V DD/2作为参考电压，测量的是相对于V DD/2的偏离，偏离得越小越好。

4. 时序要求。

有时序关系要求的主要有3组：地址、控制和命令信号与时钟信号之间；数据选通信号与时钟信号之间；数据、数据掩码与数据选通信号之间。所以在PCB设计时，也按信号进行分组设计，地址、控制和命令信号与时钟信号作为一组，数据、数据掩码信号与数据选通信号每一个字节作为一组，相同组的信号在设计时基本会保持长度相差在一定的范围之内，并且设计的方式基本一样（如同组布线在同层、有相同的过孔数等），这样才能保证满足时序的要求。

1. 斜率降额。
   总线的规范中有两种测量斜率的方式，分别是常规的测量方式和切线测量方式，以地址、控制和命令信号为例，其定义如下图所示。

这两种测量方式主要由获得波形的质量决定，如果波形的单调性比较好，则以常规方式测量；如果单调性不好，出现一些回钩或台阶，则用切线方式测量。
图中红色框框代表常规斜率测量方法，绿色箭头代表切线方式测量方法。在DDR中，信号的建立和保持时间并不是唯一不变的，会随着斜率的变化而变化，为了弥补斜率造成的影响，在仿真最终的“建立和保持时间”时，测量的时序参数需要与降额参数相加。降额参数与信号的斜率和时钟/数据选通的斜率有关。