AlGaN/GaN HEMT器件工艺

本文重点介绍GaN HEMT几种单步工艺，具体工艺流程设计需要把各个单步工艺结合起来使用。

一、有源区隔离

       有源区隔离工艺目的是避免不同器件之间导通，造成不希望的漏电，主要采用的方法有台面隔离和离子注入。台面隔离工艺主要是切断AlGaN/GaN之间的2DEG沟道，可采用干法刻蚀来进行，关于掩膜层的选择可以直接用光刻胶，也可以用硬掩膜层（如SiO2等）；离子注入工艺主要是为了破坏不同器件之间的晶格结构，破坏材料的导电性，可采用He离子等。此步可优化的参数有：干法刻蚀配方相关参数（刻蚀气体及比例、腔室压强、电极功率等）、离子注入（注入能量、注入剂量等）。

二、光刻和剥离

       光刻工艺主要在刻蚀工艺或蒸镀金属工艺前进行，将需要刻蚀或蒸镀金属的区域暴露出来，其余地方通过光刻胶进行保护，因此主要采用负胶进行光刻。GaN HEMT光刻工艺主要步骤有涂胶、曝光、显影、剥离。

1.涂胶：选择合适的胶厚和光刻胶类型

2.曝光：曝光时间和曝光剂量的确定。理想状态为曝光充分，显影后无光刻胶底膜且曝光线条无外扩

3.剥离：无残胶。如在蒸镀工艺之后需要保证有源区金属未被剥离。

三、钝化

      钝化工艺主要是为了消除异质结材料表面因为晶格缺陷引起的表面态，抑制电流崩塌现象。

      钝化材料的选择原则有：绝缘性能好、高频损耗低、击穿电场高、易于光刻和刻蚀、热膨胀系数相近等。常用的钝化材料有SiO2、SiNx等。常用方法有PECVD（等离子体增强化学气相淀积）、LPCVD（低压化学气相淀积）。其中，PECVD的方法主要是通过在真空下，射频电场使得反应室气体辉光放电，大量的电子吸收充足能量后与气体分子碰撞，使气体分子活化。活化后的气体分子吸附在衬底上并发生化学反应形成介质膜。