【氮化镓】一种新型的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN异质结场效应晶体管

文章由韩国首尔弘益大学电子与电气工程学院的Dong-Guk Kim等人撰写，题为“P-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistor with a threshold voltage of 6 V”，发表在IEEE Electron Device Letters上。文章提出了一种新型的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET），并详细描述了其结构、制造过程、测量结果和分析，最后总结了该结构的潜力和优势。

I. 引言 (Introduction)

文章首先介绍了硅（Si）材料的局限性，以及对宽带隙半导体材料如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的日益增长的兴趣。GaN因其高击穿场和高电子迁移率而成为高功率和高频设备应用的热门选择。商业化的增强型GaN功率器件通常使用p-GaN/AlGaN/GaN异质结构。文章指出，为了精确控制蚀刻深度，需要去除栅极区域外的p-GaN层，以避免对下面的AlGaN层造成损伤。

II. 器件结构和制造 (Device Structure and Fabrication)

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