AlGaN/GaN功率器件多栅指结构设计相关问题

本文重点介绍多栅指AlGaN/GaN HEMT功率器件，主要介绍电延迟现象、多栅指结构。

一、我们为什么要使用多栅指结构？

       功率器件要求之一为功率密度高，功率密度高就需要电流密度高、工作电压高，我们提高栅宽能够使得器件的实际输出电流提高。但是，一味的提高栅宽会导致一些问题。第一，寄生电阻提高；第二，栅宽不同位置处有可能出现相移现象；第三，器件面积不够分散，散热较差。因此，我们选择采用多栅指结构的器件。

二、电延迟现象

      AlGaN/GaN HEMT器件主要应用于射频功率领域，当器件工作在较高频率时，有可能出现电路尺寸与电路最高工作频率对应的波长相比拟的情况。此时，传送到实际电路各处的电磁能量不是同时到达的。也就是说，此时的器件应该以分布参数电路的视角进行分析。 

       多栅指结构的原理就是，信号从栅极输入，分配到每个栅指中，在每个栅指器件单元放大，最后在漏端收集，实现较大的功率输出。在这个过程中，如果栅极距离不同栅指之间距离差异较大，与电磁波波长可以比拟，那么电磁波之间就出现了相位差异，当电磁能量以不同的相位被放大后在漏极汇总时，有可能会出现能量的损耗，使得效率降低。

三、常见的多栅指结构器件

       为了理解设计中的电延迟现象，我们主要对比两种多栅指结构的器件：平行栅和鱼骨栅。结构如下：

 图1  平行栅结构

图2  鱼骨栅结构（不同单元之间连接结构）

        先给出我们的结论：在相移这个问题上，鱼骨栅优于平行栅。我们可以观察到，当信号分别从他们的G端进入时，漏极对于放大信号的收集是不同的。对于平行栅而言，是放大完的信号接着被D端收集；对于鱼骨栅而言，最先被放大的信号确实离着收集端（D端）最远的，在一定程度上弥补了相移问题。

       另外，鱼骨栅在热管理方面也要优于平行栅。