【氮化镓】TCAD模拟研究Mg沟道注入对GaN器件结终端扩展的影响

文章核心观点

本研究通过TCAD模拟，探讨了不同镁离子注入技术对氮化镓（GaN）基结终止扩展（JTE）结构的性能影响。研究人员比较了两种镁离子注入技术：通道注入和随机注入，并分析了其对JTE结构的击穿电压（BV）和电场分布的影响。

主要发现： 通道注入的JTE结构相比随机注入的JTE结构，具有更宽的最佳JTE剂量窗口，这意味着它对剂量波动更加宽容，有利于器件制造。通道注入形成的深度梯级镁分布，能够更有效地抑制电场集中，从而提高器件的BV。 通道注入的JTE结构在考虑钝化层/氮化镓界面电荷时，也表现出更好的性能。

结论： 通道注入技术为GaN基JTE结构的设计和制造提供了一种新的思路，有望提高器件的击穿电压和制造良率。

一、研究背景与意