TTL反相器
电路结构 & 逻辑符号
结构分析
- TTL反相器由三部分组成,并且只使用了NPN型这一种结构的三极管
- 输入级:由
T
1
T_1
T1、
R
1
R_1
R1、
D
1
D_1
D1 组成
- T 1 T_1 T1 :作用与其他管子都不同,电源仅连到管子基极,这个三极管可以简单看成是两个并联的二极管。而且因为左右是并联关系,两边电压会相互牵制
- D 1 D_1 D1 :为了防止电压端输入过低而设置,起保护作用
- 中间级:由
T
2
T_2
T2、
R
2
R_2
R2、
R
3
R_3
R3 组成
- T 2 T_2 T2 :控制了上下两个电阻的压降,起到一个分配作用 —— 集电极输出驱动 T 3 T_3 T3 ,发射级输出驱动 T 4 T_4 T4
- 输出级:由
T
3
T_3
T3、
T
4
T_4
T4、
D
D
D 和
R
4
R_4
R4 组成
- T 3 T_3 T3、 T 4 T_4 T4 :两个管子和CMOS反相器中两个管子很相似,它们的开关直接决定输出电压。但它们又都是高电平触发,需要T2管来控制,这一点与CMOS反相器不同
工作原理
- u I = U I L = 0 V u_I = U_{IL} = 0V uI=UIL=0V 即输入为低电平时
- T 1 T_1 T1 管PN结受到的压降为电源与输入电压之间的差值,这个差值是足够大的,故基极与发射极导通, T 1 T_1 T1 导通
- 基极与集电极本也应导通,但后面还要经过 T 2 T_2 T2 管,还需要一定电压,而 T 1 T_1 T1 出来的左右电路是并联关系,右端也只能分到和左端一样的电压,左端输入为低电平,不足以使 T 2 T_2 T2 开启, T 2 T_2 T2 截止 , i B 1 i_{B1} iB1 流入发射级,由输入端流出
- T 4 T_4 T4 管没有压降产生,不开启, T 4 T_4 T4 截止
- 因为 T 2 T_2 T2 的阻断,电源想要“释放”还只剩一个去处,就是 T 3 T_3 T3 管, T 3 T_3 T3 的基极与发射极也能得到足够压降,所以 T 3 T_3 T3 导通 , D D D 导通
u O = U O H = 3.6 V u_O = U_{OH} = 3.6V uO=UOH=3.6V ,输出为高电平
- u I = U I H = 3.6 V u_I = U_{IH} = 3.6V uI=UIH=3.6V 即输入为高电平时
- T 1 T_1 T1 倒置 ,即发射极和集电极颠倒, i B 1 i_{B1} iB1 流入 T 2 T_2 T2 基极,右边的 T 2 T_2 T2 管b-e端能够获取足够压降, T 2 T_2 T2 导通 , T 1 T_1 T1 导通
- T 2 T_2 T2 饱和导通进而使 T 4 T_4 T4 饱和导通
- T 2 T_2 T2 和 T 4 T_4 T4 是处于饱和导通状态,所以 T 3 T_3 T3 的基极电位会被钳制在0.7+0.3=1v,不足以致 T 3 T_3 T3 和 D D D 导通, T 3 T_3 T3 截止 , D D D 截止
u O = U O L ≤ 0.3 V u_O = U_{OL} ≤ 0.3V uO=UOL≤0.3V ,输出为低电平
总结(我看知乎上一个博主总结的,我觉得很形象)
- T 1 T_1 T1 管相当于一个闸门,控制电源电压走向。如果不希望这一路电压影响电路,用低电平将这部分电压引走;如果希望这一路电压影响电路,用高电平将这部分电压堵住
- T 2 T_2 T2 管相当于一个游码,通过控制电压分配来调节后方两个管子的开启情况,是真正实现输出反向的地方
- T 3 T_3 T3、 T 4 T_4 T4管就很明显了,两个门神,一个对应高电平输出,一个对应低电平输出
<比较难的点先是 T 1 T_1 T1管,然后是 T 2 T_2 T2 管。 T 1 T_1 T1 管在高低电平下实现“一方通行”的效果,原理都是一样的,一边电压被钳制在较低的水平,另一边就无法开启。 T 1 T_1 T1 管是用来控制 T 2 T_2 T2 管开关的,而 T 2 T_2 T2 管的开关决定了输出电平的高低>
所示电路实现了非运算,是非门,即反相器。若用A、Y分别表示 u I 、 u O u_I、u_O uI、uO ,并采用正逻辑,则可得 Y = A ‾ Y = \overline{A} Y=A ,人们常用 T 4 T_4 T4 ,的状态表示反相器的工作状态,当 T 4 T_4 T4 截止时, 就说反相器处在截止或关断状态,输出为高电平;当 T 4 T_4 T4 饱和导通时,就称反相器处在导通状态,输出为低电平