cmos电路功耗-----------IC - [读书笔记]

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CMOS电路的功耗主要由3部分组成：动态功耗，开关过程中的短路功耗，静态功耗。

                 动态功耗：电路在开关过程中对输出节点的负载电容充放电所消耗的功耗（也称开关功耗）。

                 它与电路的工作频率成正比，与负载电容成正比，与cmos的逻辑摆幅的平方成正比(故降低电压会将开关功耗降的很多）。

                 开关过程的短路功耗：由于输入电压波形并不是理想的阶跃输入信号，有一定的上升时间和下降时间，在输入波形上升下降的过程中，在某个电压输入范围内，nmos和pmos管都导通，这时就会出现电源到地的直流导通电流，这就是开关过程中的短路功耗。

                 开关过程中的短路功耗与电路的工作频率成正比，与输入电压上升和下降时间有关（即斜率）成正比，与输入电压的有关。

                 静态功耗：对于常规cmos电路，在稳态时不存在直流导通电流，理想情况下静态功耗为0，但是由于泄露电流的存在，使得cmos电路的静态功耗并不为0。CMOS泄露电流主要包括：反偏PN结电流和MOS管的亚阈值电流。所以静态功耗主要由这两部分组成。对于深亚微米MOS器件，还存在很多二级效应引起的附加泄露电流。