【氮化镓】全耗尽p-GaN HEMT的栅极特性

最新推荐文章于 2025-03-04 10:54:44 发布
最新推荐文章于 2025-03-04 10:54:44 发布
阅读量2.1k 收藏 17
点赞数 11
分类专栏： 氮化镓器件可靠性 文章标签： 生成对抗网络 人工智能 神经网络 科学研究 学习 科技
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/monian000/article/details/137120814
版权

J. Sun et al., "Gate Characteristics of Enhancement-Mode Fully Depleted p-GaN Gate HEMT," in IEEE Electron Device Letters, vol. 44, no. 12, pp. 2015-2018, Dec. 2023, doi: 10.1109/LED.2023.3324011.

keywords: {HEMTs;Wide band gap semiconductors;Aluminum gallium nitride;Junctions;Gallium nitride;Magnesium;Fully depleted p-GaN;gate current;Mg activation},

概括

该研究聚焦于提升氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMTs）的性能，特别是通过改变p-GaN（钆镓）栅极的特性来降低栅极电流（IG），并提高器件的可靠性和制造性。研究团队通过在Schottky型p-GaN栅极HEMTs中将传统的p-GaN转换为类似绝缘体的全耗尽p-GaN，实现了在正向栅极偏压（VGS）下的栅极电流显著降低，并改变了正向VGS分配机制，从而显著降低了器件在高温下的热载

了解本专栏 订阅专栏 解锁全文 超级会员免费看
【氮化镓】p-GaN 栅 HEMT栅极可靠性及其退化机制
荷塘阅色
05-15 2406
本文研究了具有再生长p-GaN栅极和AlN/SiNx堆叠钝化的常关型高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅极可靠性及其退化机制。通过比较两种设计结构下的正向漏电流，确定了传导机制为Fowler-Nordheim（F-N）隧穿，该机制下电流与温度无关，当Pd/p-GaN肖特基结在高电场下时。即使对于再生长的p-GaN栅极，首先出现的是肖特基结的失效，导致栅极电流急剧增加。通过采用幂律和指数律作为外推拟合，分别估计了在室温下10年寿命内故障率为1%时的最大栅极操作电压约为6.87 V和6.07 V。
【氮化镓】一种新型的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN异质结场效应晶体管
荷塘阅色
04-30 1928
文章提出的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN HFET结构通过在p-GaN和AlGaN之间插入p-AlGaN层，有效地解决了选择性蚀刻过程中的表面损伤问题，并提高了阈值电压。这种结构不仅提高了器件的性能，还增强了开关操作时的安全性，对于提升增强型GaN HFET的可靠性具有重要意义。此外，文章中的实验数据和模拟结果相互印证，展示了新型结构的优势。
基于物理原理的p-GaN HEMT动态导通电阻SPICE建模
weixin_45293089的博客
04-14 1537
这封快报介绍了一种新型基于物理学原理的SPICE建模方法，专门针对氮化镓基p型门极高电子迁移率晶体管（p-GaN HEMT）的动态导通电阻（Ron,dy）。为了描述Ron,dy的连续变化，文中提出了一个时间分辨的电子迁移率变化模型（Δµeff模型）。从p-GaN HEMT中提取出物理参数，包括陷阱的活化能和电压加速因子作为模型参数。接着，为了实现对Ron,dy的模拟目标，将提出的Δµeff模型整合到基于表面势能的GaN HEMT高级SPICE模型中。
常关型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT作为片上电容器的建模与分析
weixin_45293089的博客
03-30 1532
提出了一种精确基于物理的解析模型，用于描述p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅电容。该模型在形成泊松方程时考虑了p-GaN帽层中受主的不完全离子化以及Mg受主向AlGaN势垒层的外扩散，该方程与AlGaN/GaN量子阱中的电荷方程一起求解。该模型在宽偏置范围内得到了验证，与实验结果显示出良好的一致性。还使用该模型分析了单个设备参数对电容-电压（C-V）特性的影响。此外还提出了一个简化等效电路模型，以直观解释这些通常关断型器件的C-V特性。
P-GaN栅极HEMT开关瞬态分析中的动态栅极电容模型
weixin_45293089的博客
09-23 551
在这项工作中，提出了一种用于P-GaN栅极HEMT的高效开关瞬态分析模型，该模型考虑了开关瞬态过程中的动态栅极电容CG(VDS, VGS)特性。同时，还考虑了双脉冲表征平台中外部电感、PCB、驱动IC和表面贴装技术（SMT）元件的建模。通过C-V测量验证了所提出的动态电容模型。因此，具有动态栅极电容特性的开关瞬态分析模型与仅使用静态栅极电容模型的传统方法相比，可以获得更高的精度。关键词：动态电容、GaN HEMT、相位支路电路、开关瞬态分析。
【氮化镓】镁激活退火对p-GaN迁移率和阈值电压的影响
荷塘阅色
03-27 1438
本研究探讨了在沟道栅MOSFETs中，镁（Mg）激活退火步骤对p型氮化镓（GaN）体的通道迁移率和阈值电压（VT）稳定性的影响。
【氮化镓】基于SiC脉冲I-V系统研究Schottky型p-GaN HEMT正栅极ESD机制
荷塘阅色
03-04 301
探讨肖特基型p-GaN门极高电子迁移率晶体管（HEMTs）在正向门极人体模型（HBM）静电放电（ESD）条件下的鲁棒性和机制。通过使用基于碳化硅（SiC）MOSFET的高速脉冲I-V测试系统，作者们详细分析了在显著但非破坏性的放电事件中观察到的高瞬态正向门极漏电流（IG），并揭示了其主要由AlGaN势垒的电子热发射所主导，这一过程受到p-GaN门极堆叠内部动态电容电压分配的影响。
【氮化镓】p-GaN HEMT器件高温栅极寿命解决方案
荷塘阅色
12-05 201
文章介绍了一种改善肖特基栅p-GaN HEMTs正向偏置栅极可靠性的方法。特别提出了一种栅极布局解决方案GWA，旨在提高高温下的失效时间（TTF）。这种方法避免了栅极手指（p-GaN/金属）暴露于氮注入，这是为了终止和隔离目的所需的。GWA器件在高温下显示出比参考器件更好的栅极可靠性，无论是在直流（DC）还是脉冲应力测试下。最后，文章证明了肖特基栅p-GaN HEMTs在高达150°C的温度范围内显示出正的温度依赖性栅极TTF，确认了影响离子化对栅极失效的关键作用。
基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型.docx
07-01
然而，现有的模型如基于MVSG模型和基于ASM模型均存在一定的局限性：前者忽略了p-GaN层的影响及其与金属/p-GaN结的物理特性，后者则假设p-GaN层完全耗尽，且未对p-GaN栅进行栅电流建模。 #### 二、基于表面势的增强...
【氮化镓】GaN 器件的高温运行
荷塘阅色
04-28 1569
通过使用圆形器件结构和原子层刻蚀门极凹槽，实现了E-mode和D-mode AlGaN/GaN MIS-HEMT在400°C下的稳定操作。这些设备在400°C时显示出了高达10^8的Ion/Ioff比和高达21.4 mS/mm和19.1 mS/mm的大跨导。E-mode设备在高温下保持了正常的关闭操作和稳定的阈值电压，而D-mode设备由于应变松弛，阈值电压逐渐变化。使用E-mode和D-mode设备制造的DCFL反相器在高温下显示出了稳定的转移特性，这表明了高温逻辑和存储器的可行性。
基于区域划分的GaN HEMT 准物理大信号模型
weixin_45293089的博客
11-22 1927
GaN HEMT器件的大信号等效电路模型分为和。经验基模型具有较高精度但参数提取困难，特别在GaN HEMT器件工艺不稳定的情况下不易应用。相比之下，物理基模型从器件工作机理出发，参数提取相对方便，且更容易更新和维护。在GaN HEMT器件标准化过程中，选择了基于表面势和基于电荷控制的物理基大信号模型。然而，这些模型仍存在方程复杂、收敛性差、精度不足等问题。基于的可缩放大信号模型，兼顾了简单性和精度，并考虑了自热效应、高低温效应、陷阱效应等。
基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
weixin_45293089的博客
04-14 1443
该模型通过对比分析耗尽型GaN HEMT和增强型p-GaN HEMT的器件结构差异，推导出了描述p-GaN栅结构电压变化的解析公式，并充分考虑了p-GaN栅层的掺杂效应及其物理机制，进一步推导出了栅极电容和栅极电流的解析表达式。文章的结论是，研究团队成功建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件模型，该模型综合考虑了p-GaN层的掺杂效应以及肖特基金属/p-GaN结、p-GaN/AlGaN/GaN结构的物理特性，并在此基础上推导出了有关p-GaN栅结构的关键电压解析公式。
【氮化镓】三星200mm 硅基高阈值电压p-GaN器件
荷塘阅色
04-08 952
三星公司的研究人员介绍了一种高阈值电压、低导通电阻和高速的GaN-HEMT功率器件，该器件在栅极堆叠中使用了p-GaN层。文章提出了三个创新点：首先，首次在200毫米GaN on Si衬底上使用无Au且完全与CMOS兼容的工艺制造了p-GaN栅HEMT；其次，通过采用p-GaN和W栅堆叠，实现了良好的电气特性，包括阈值电压高于2.8V、低栅极漏电流、无迟滞和快速开关；最后，展示了可以承受高达20V栅偏压的TO-220封装的p-GaN栅HEMT器件
GaN器件的工作原理
weixin_45293089的博客
10-12 5225
图2.4（a）给出了AlGaN/GaN HEMT 器件工作时的偏置情况，栅极加负压，漏级加正压，源极接地，通过改变偏置电压，来实现器件不同的工作状态。较大时，沟道夹断点向源极方向移动，在沟道与漏区之间形成一段耗尽区，此时电子在耗尽区的漂移速度达到了饱和速度，不再随电场发生变化，输出电流也不再随电压变化。这一区域称为饱和区。的增加，源漏电流随漏电压近似线性升高，电子迁移率可以被认为是一个常数，则v = μE(x)，此时，器件输出电流为，在 0 V 的栅极电压下，栅极下方的沟道被完全耗尽，漏极电流不流过。
通过混合栅极技术改善p-GaN功率HEMTs的ESD性能
weixin_45293089的博客
06-26 1237
本工作中，首次证明了混合栅极技术在不增加额外面积和寄生效应的前提下，能有效提升p-GaN HEMTs的栅极静电放电(ESD)性能。通过部分替换p-GaN HEMT中的肖特基型栅极金属为欧姆接触型金属，制备了混合栅HEMT（Hyb-HEMT）。基于传输线脉冲（TLP）性能的对比研究，证实了Hyb-HEMT的栅极ESD承受能力提高了约11倍，表明由欧姆接触型金属引入的“放电路径”能有效耗散ESD能量。此外，实验还证明，由于积累电子与注入空穴之间的复合作用，Hyb-HEMT在重复栅极ESD应力作用下更加稳定。
【氮化镓】Kevin J. Chen组新作—肖特基p-GaN HEMTs正栅ESD机理研究
荷塘阅色
07-08 1277
文章通过对Schottky型p-GaN门HEMTs在正向门ESD事件中的鲁棒性进行研究，揭示了其高瞬态正向IG的机制，这对于理解和改进这类器件的ESD保护具有重要意义。作者使用基于SiC MOSFETs的高速脉冲I-V测试系统，不仅提供了一种新的测试手段，而且通过实验数据和理论分析，为设计具有更高ESD鲁棒性的p-GaN门HEMTs提供了科学依据。
D 型 GaN HEMT 在功率转换方面的优势
lucy15302751079的博客
11-23 1557
图 1：p-GaN 栅极 e 模式和 d 模式 GaN HEMT 器件的简化横截面图（Transphorm）人们尝试了不同的方法，通过对栅极内部或周围进行修改，将 d 模式器件转换为 e 模式。造成这种情况的一个重要因素是 p-GaN e 模式器件的跨导随温度的变化而大幅降低，如图 5 所示。图 4： d 模式和 e 模式 GaN HEMT 器件中AV t与通道 2DEG 薄层电阻的关系（Transphorm）p-GaN 栅极 e 模式和共源共栅 d 模式 GaN HEMT 器件之间的跨导温度响应比较。
【氮化镓】GaN SP-HEMT的栅极可靠性
荷塘阅色
04-04 826
本文研究了氮化镓（GaN）肖特基型p-栅高电子迁移率晶体管（GaN SP-HEMT）的栅极鲁棒性和可靠性，通过一种新的电路方法评估了在实际转换器中栅极电压（VGS）过冲波形的栅极电压应力。研究发现，栅极的单脉冲失效边界（动态栅极击穿电压，BVDYN）和开关寿命在硬开关（HSW）和漏源接地（DSG）条件下表现出显著差异，并且与温度和VGS峰值有关。研究结果为p-栅GaN HEMTs的栅极可靠性和鲁棒性提供了新的定性方法，并揭示了栅极退化行为背后的物理机制。
GaN HEMT主要性能指标有哪些？宽禁带材料电性能测试方案
whpssins的博客
07-06 1531
SMU集电压源、电流源、电压表、电流表以及电子负载等多种功能于一体。此外，SMU还具有多量程，四象限，二线制/四线制测试等多种特性。一直以来，SMU在半导体测试行业研发设计，生产流程得到了广泛应用。同样，对于氮化镓的测试，高性能SMU产品也是不可少的工具。
用silvaco仿真p-GaN增强型氮化镓HEMT，需要得到当漏极电压为0时栅极电压逐渐正向增大，栅极电流随栅极电压正向增大而逐渐增大直到击穿，给出仿真需要的代码
最新发布
04-03
好的，用户现在需要的是在Silvaco ATLAS中仿真p-GaN增强型氮化镓HEMT，具体是当漏极电压为0时，栅极电压逐渐正向增大，观察栅极电流随电压变化直至击穿的情况，并给出仿真代码。我需要先回顾之前的对话历史，看看...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

北行黄金橘

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值