半导体测试中CP测试于FT测试有何区别

半导体被誉为制造业的巅峰，伴随半导体技术不断发展，芯片尺寸不断减小，制造工序逐渐复杂。完整的半导体制造流程包含2000多道工序，测试需求贯穿半导体设计、前道制造、后道封装全程。本期SPEA将重点科普下CP测试于FT测试的区别。

 

什么是CP测试？

晶圆测试又称前道测试、“Circuit porbing”（即CP测试）、“Wafer porbing”或者“Die sort”。 CP测试目的是确保整片（Wafer）中的每一个Die都能基本满足器件的特征或者设计规格书，通常包括电压、电流、时序和功能的验证。芯片封装阶段时，有些管脚会被封装在芯片内部，导致有些功能无法在封装后进行测试，因此Wafer中进行CP测试最为合适。

可达大家对与Die这个名词比较陌生。Die其实就是晶粒，Wafer上分割的每一  个小块，就是一个晶片晶圆体，学名叫die，封装后就成为一个颗粒。晶粒是组成多晶体的外形不规则的小晶体，而每个晶粒有时又有若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成。晶粒的平均直径通常在0.015~0.25mm范围内，而亚晶粒的平均直径通常为0.001mm数量级。

什么是FT测试？

在一个Die封装之后，需要经过生产流程中的再次测试。这次测试称为“Final test”（即通常说的FT测试）或“Package test”、成品测试。在电路的特性要求界限方面，FT测试通常执行比CP测试更为严格的标准。芯片也许会在多组温度条件下进行多次测试以确保那些对温度敏感的特征参数。

CP测试与FT测试对比

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