DDR4 Spec 第四章 4.14-4.15

4.14 Per DRAM Addressability

假设4个DRAM颗粒组成一个rank,那么PDA指的就是在一个rank中对每个颗粒进行控制、调节、设定等。例如对rank中的每个颗粒进行VrefDQ训练以及设定不同的终端电阻值等。

以下为PDA模式的流程:

  1. 进入PDA模式之前需要进行write leveling
  2. 进入PDA模式之前,MR5 A[8:6] = Enable,MR1 A[10:8] = Enable。
  3. 通过MR3的A4 = 1进入PDA模式。
  4. 在PDA模式中,所有的MRS命令依据DQ0(x4和x8器件)或DQL0(x16器件)来决定是否对该DRAM颗粒执行PDA模式,DQ0或DQL0的电平由DQS信号捕捉。如图35所示。如果DQS捕捉到DQ0或DQL0为0,则DRAM执行MRS命令,若DQS捕捉到DQ0或DQL0为1,则DRAM不执行MRS命令。当然,内存控制器也可以驱动所有的DQ bits,也就是说,用户可以仅对DQ0进行驱动,也可以对除DQ0以外的DQ pin进行驱动。
  5. 利用MRS命令对某个器件进行编程。
  6. 在PDA模式中,仅允许发送MRS命令。
  7. 如图35所示,两个MRS命令间的间隔为AL+CWL+PL+BL/2-0.5tCK+tMRD_PAD,其中PL可能为0。
  8. 发送MRS命令,MR3 A4=0来退出PDA模式,退出时,MRS也要求DQ0=0(x4和x8器件)或DQL0=0(x16器件)。

在这里插入图片描述

NOTE 在退出PDA模式时,需要给MR3寄存器全部program,才能退出。不过,这样做可能会影响rank上一些DRAM内部的值。为了避免这种情况的发生,在MR寄存器中有PDA Enable/Disable控制位(具体是哪个?)。在PDA模式下,与正常的写操作一样,DRAM仍然是通过DQS捕捉DQ0/DQL0。然而,需要注意,PDA模式下不支持动态ODT。如果MR1的RTT_NOM Enable,即A[10:8]=Enable,DDR4的数据的终端电阻由ODT pin控制,其时序参数如表40所示。为了在PDA模式中正确地采样DQ0/DQL0的低电平,VrefDQ的值必须设置为其中值或Vcent_DQ值。

在这里插入图片描述
图36和图37的时序图分别为退出PDA模式和突发长度为BC4的PDA模式。
在这里插入图片描述在这里插入图片描述由于PDA模式下使用的Vref值可能是经过训练的,经过优化的Vref值,则在第一个DQS边沿和最后一个DQS下降沿时捕捉不到正确的DQ(这里很疑惑,既然是优化后的Vref,为何还会捕捉到错误的DQ)。推荐的做法是,DRAM在第一个DQS的下降沿或第二个DQS的上升沿处进行采样。

内存控制器需要根据BC4/BL8需要多长传输时间将DQ0/DQL0保持为低对应长度的时间。

4.15 CAL模式(CS_n到Command Address的延迟)

4.15.1 CAL模式描述

当关闭CAL时,CS_n为低,则需要立马给出CMD/ADDR,但是当开启CAL,则可以在CS_n拉低后的几个周期后给出CMD/ADDR。

图38展示了CAL的定义。当CS_n拉低时,CK采样到CS_n为低,CMD/ADDR将会在几个周期后有效,这给了DRAM一定的时间来使能CMD / ADDR的receiver。一旦CMD/ADDR被锁存,则可以关闭receiver。CAL由MR4的[8:6]确定。图39展示了连续的命令的发送,receiver在CMD有效时才打开(使能)。
在这里插入图片描述在这里插入图片描述

表41展示了speed bin低于2666的CAL和大于等于2666的CAL延迟时间。对于前者,不支持Geardown模式,对于后者,支持Geardown模式,但是CAL的时间必须为偶数个CK周期,例如本该为5个CK周期,但是需要为偶数个,且其偶数向上取整,所以在2666的速率下,最小的tCAL值为6个CK周期。

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表42展示了MR4的值对对应的CAL.

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当开启了CAL模式,或准备利用MRS命令开启CAL模式,下一个最早到来的有效命令所需等待的时间为tMOD_CAL = tMOD + tCAL。

图40表示,在Ta1时刻发送开启CAL模式的MRS命令,则下一个最早到来的命令应该在tMOD_CAL之后。

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图41表示,当已经进入CAL模式后,在Ta1时刻之前,CS_n信号拉低,两者的间隔时长为tCAL,从MRS到下一个有效命令的时间为tMOD_CAL。

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图42表示,在Ta1时刻发送使能CAL的MRS命令后,需等待tMRD_CAL时长才能发送下一个MRS命令。

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图43表示,当已经进入CAL模式后,在Ta1时刻之前,CS_n信号拉低,两者的间隔时长为tCAL,从MRS到下一个MRS的时间为tMRD_CAL。

在这里插入图片描述
图42和图43的tMRD_CAL应该等于tMRD+tCAL。

4.15.2 开启CAL后的自刷新的进入和退出时序

见图44。在SRE之前,CS_n拉低,经过tCAL之后,CMD总线上发送SRE命令。在退出发送SRX命令后,经过tXS_FAST时间后,CS_n拉低,在经过tCAL时间后,CMD总线上发送其它有效命令,不过这里的有效命令有要求:仅为MRS或ZQCS或ZQCL命令。

在这里插入图片描述

4.15.3 开启CAL后的Power Down的进入和退出时序

图45为开启CAL后的Power Down的进入和退出时序。

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### 回答1: Jedec DDR4规范是一种用于内存模块的标准规范,是在DDR3规范的基础上进行了升级和改进的。 Jedec DDR4规范的主要目标是提高内存的性能和能效。与DDR3相比,DDR4采用了更高的内部频率和更低的电压,从而可以实现更高的带宽和更低的功耗。DDR4的内部频率通常在2133MHz到3200MHz之间,电压则从1.2V降低到1.05V。 DDR4规范还引入了一些新的技术和功能。例如,DDR4内存模块在设计上更加灵活,可以根据需要支持不同的容量和速度。此外,DDR4还支持“错误校正编码”(ECC)技术,可以检测和纠正内存中的错误,提高数据的可靠性。 Jedec DDR4规范还增加了一些新的命令、信号和引脚。例如,DDR4规范引入了“翻转寻址线”(CA training)功能,可以解决内存中的信号互相干扰的问题,提高数据的传输稳定性。此外,DDR4还引入了新的引脚布局,以支持更高的带宽和更快的数据传输速度。 总之,Jedec DDR4规范是一种用于内存模块的标准规范,通过提高频率和降低电压,以及引入新的技术和功能,达到提高内存性能和能效的目的。它的推出为计算机系统的性能提升提供了一定的保障。 ### 回答2: JEDEC DDR4规范是一种用于计算机内存的标准。它是由JEDEC(电子行业协会)制定的,旨在提供性能和能效的提升。这项规范定义了DDR4内存模块的技术要求和接口特性,以确保不同厂商生产的DDR4内存模块可以在不同的计算机平台上互通。 JEDEC DDR4规范包含了许多升级和改进,与之前的DDR3相比,DDR4内存模块具有更高的数据传输速率、更大的容量和更低的功耗。 根据JEDEC DDR4规范,DDR4内存模块的电压下降到1.2V,相比DDR3的1.5V,功耗减少了20%。此外,DDR4的数据传输速率也明显提高,从DDR3的最高2133MHz提升到DDR4的最高3200MHz。这一增加的速率使得DDR4内存模块在处理数据时更加高效。 DDR4规范还引入了一些新特性,如内存时钟增强(CRC)和地址伙伴预取(AP)等。内存时钟增强是一种增强的错误检测和修复机制,可提高内存模块的可靠性。地址伙伴预取则可以提高数据访问速度,减少延迟。 总而言之,JEDEC DDR4规范对于计算机内存的发展具有重要意义。它提供了更高的性能、更大的容量和更低的功耗,同时保证了跨不同计算机平台的互操作性。通过采用DDR4内存模块,用户可以获得更快的数据传输速度和更高的系统性能。

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