3.3V的稳压管,结果电压变成了2.5V

网上看到这样一个帖子,NMOS的G级放了一个3.3V稳压管,实际测量却只有2.5V,为什么呢?

0.电路图

在这里插入图片描述
如上图所示,电路中有一个网络HB_On_Off的电压是5.5V,并且这个网络连到了一个NMOS 2N7002E的G极上,现在的问题是,他在NMOS 2N7002的G极上接了一个3.3V的稳压管ZENER 3.3V 200mW,结果测出了NMOS的G极是2.5V,不应该是3.3V吗?

1. 对于是否器件引起的,有3点排查方法:

  • 建议一,测量3.3V稳压管,看是3.3V还是2.5V。如果是3.3V,再测量稳压管的正极和NMOS的G极之间的电压,看是否有压降。如果是2.5V,拆下稳压管,用直流电源调一个比3.3V稍大的输出电源给稳压管供电,看稳压管两端的电压是多少,以此来验证稳压管是否有问题。

  • 建议二,去掉3.3V的稳压管,测量NMOS的G极电压是多少?看是5.5V还是2.5V。

  • 建议三,拆下NMOS,测量稳压管的两端电压是多少?

2. 对于是否电路设计的缺陷,可用一下方法排查:

  • 建议仔细看下稳压二极管的伏安特性曲线,建议前面需要加一个限流电阻

  • 3.3V齐纳管,在2.5V开始有电流了,前面onoff信号如果有很大内阻,就会被拉低到2.5 V,如果是这个原因,后面就不应该用2级场管放大,而是用一级射极跟随。

### AMS1117-3.3V扩流电路设计及应用 #### 一、AMS1117-3.3V基本特性概述 AMS1117系列稳压器提供可调和固定电压版本,旨在提供1A的输出电流和低至1V的压差。对于AMS1117-3.3器件,在最大输出电流下,其压降保证不超过1.3V,并随着负载电流减少而降低[^1]。 #### 二、扩流需求分析 当项目中的某些模块需要超过标准版AMS1117所能提供的1A电流时,则需考虑采用扩流方案来满足更高的功率要求。通过外加MOSFET或其他形式的晶体管可以实现这一点。 #### 三、基于N沟道MOSFET的扩流设计方案 一种常见的做法是在原有AMS1117基础上加入一个或多个并联工作的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-MOS),这些额外元件能够分担部分原本由IC承担的工作负荷从而达到提升整体供电能力的目的。 下面是具体的连接方式: ```circuitikz \begin{circuitikz}[american voltages] % Components placement \draw (0,0) node[op amp](opamp){}; % Input voltage source and capacitor \draw (-2,-1) to[V,v=$V_{in}$](-2,1); \draw (-2,1) --(0,1); \draw (-2,-1)--(0,-1); % Output voltage with capacitors \draw (4,0)node[right]{Output}to[C,l_=$C_o$,*-*](4,-2); \draw (4,-2)--++(-4,0)--(-2,-2)|-(0,0); \draw (4,0)-|(6,.8)node[right]{$V_{out}=3.3V$}; % Ground connections \foreach \i in {-2,...,4} {\ifnum\i>-2 \draw (\i,-2)node[ground]{};\fi} % IC symbol for AMS1117 \draw (0,0) rectangle ++(1.5,1.5); \path (0.75,0.75) node {AMS1117}; % MOSFET addition \draw (1.5,0.75) to[R,l=$R_g$,o-o](2.5,0.75); \draw (2.5,0.75) to[short,o-*](3.5,0.75); \draw (3.5,0.75) node[nmos,xscale=-1,label={[label distance=0pt]right:MOSFET}] {}; \draw (3.5,0.75) |- (4,-1);% Source connection % Feedback loop from output back into ADJ pin of AMS1117 if adjustable version used. \draw[dashed,bend left] (4,0) edge node[midway,right] {$Feedback$}(0.75,0.75); \end{circuitikz} ``` 请注意上述图并非实际绘制而是描述性的示意说明。在这个例子中,`MOSFET`被用来辅助AMS1117处理更大的电流请求。电阻`Rg`用于控制栅极驱动强度,确保MOSFET正常工作而不至于过热损坏。电容器`Co`有助于稳定输出电压防止波动影响下游设备性能[^2]。 #### 四、注意事项 为了使该扩展方法有效运行,必须仔细选择合适的组件参数以及注意散热管理措施。特别是要考虑到所选MOSFET的最大允许功耗及其导通电阻(Rds(on))等因素,以确保整个系统的可靠性和效率。
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