基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型

来源：电子学报 22年

摘要

为了满足功率电路及系统设计对p-GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）器件模型的需求，本文建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）模型. 根据耗尽型GaN HEMT器件和增强型p-GaN HEMT器件结构的对比，推导出p-GaN栅结构电压解析公式. 考虑到p-GaN栅掺杂效应和物理机理，推导出栅电容和栅电流解析公式. 同时，与基于表面势的高电子迁移率晶体管高级SPICE模型内核相结合，建立完整的增强型p-GaN HEMT功率器件的SPICE模型. 将所建立的SPICE模型与实测结果进行对比验证. 结果表明，所建立的模型准确实现了包括转移特性、输出特性、栅电容以及栅电流在内的p-GaN HEMT器件的电学特性. 模型仿真数据与实测数据拟合度误差均小于5%. 本文所提出的增强型p-GaN HEMT器件模型在进行电路设计时具有重要的应用价值.
关键词： 增强型；高级 Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis 模型；p-GaN 栅；转移特性；输出特性；栅电容；栅电流

文章的研究内容

文章《基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型》介绍了研究人员为适应功率电路及系统设计对增强型p-GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器