GaN HEMT中短沟道效应的建模

最新推荐文章于 2024-10-24 12:39:16 发布

Eren-Yu

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分类专栏：文献阅读文章标签：器件建模

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_45293089/article/details/137965328

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本文提出了一种基于电荷的解析模型，详细估算GaNHEMT中的短沟道效应，包括DIBL、CLM和速度饱和。模型扩展了EPFLHEMT模型，通过2D分析捕捉势能分布，与TCAD和实验数据一致，推动短沟道GaNHEMT在高性能应用中的设计优化。

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来源：Modeling of Short-Channel Effects in GaN HEMTs（TED 20年）

摘要

在本文中，我们提出了一种用于估算GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中短沟道效应（SCEs）的显式和解析的基于电荷的模型。该模型源自洛桑联邦理工学院（École Polytechnique Fédérale de Lausanne，EPFL）HEMT模型的物理电荷基础核心，该模型将HEMT视为广义MOSFET。本文的主要重点是通过有效捕捉二维沟道电势分布来估算SCEs，包括计算减少的势垒高度、漏致势垒降低（Drain-Induced Barrier Lowering，DIBL）、速度饱和和沟道长度调制（Channel Length Modulation，CLM）。该模型经与TCAD模拟结果验证，并在所有工作区域内与测量数据相符。这标志着利用AlGaN/GaN异质结构设计高频和超低噪声HEMT器件迈出了关键的一步。

关键词：AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管（HEMT）、AlGaN/GaN HEMT、沟道长度调制（Channel Length Modulation，CLM）、基于电荷的洛桑联邦理工学院（EPFL）HEMT模型、漏致势垒降低（Drain-Induced Barrier Lowering，DIBL）、短沟道效应（Short-Channel Effects，SCEs）、速度饱和。