GaN HEMT结构

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分类专栏： 半导体器件基础 文章标签： 半导体知识
于 2023-07-03 21:30:06 首次发布
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GaNHEMT是一种基于氮化镓的高电子迁移率晶体管，其结构包括GaN基底、AlGaN缓冲层等。这种晶体管在高频和高功率应用中表现出色，如雷达、通信和功率放大器。其工作原理依赖于GaN材料的特性，提供更快的开关速度和功率密度。

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GaN HEMT（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）是一种基于氮化镓半导体材料的高电子迁移率晶体管。它是一种类似于MOSFET的晶体管，但是与传统的MOSFET相比，GaN HEMT在高频率和高功率应用方面具有更好的性能。

GaN HEMT的结构包括一个GaN基底、一个AlGaN缓冲层、一个GaN沟道层、一个AlGaN电子阻挡层和一个金属栅极。其中，GaN沟道层是载流子流动的通道，AlGaN缓冲层能够减小晶体管内部的电场强度，从而提高了晶体管的可靠性和性能。

GaN HEMT的工作原理是：当栅极电压变化时，会在GaN沟道层形成一个电子气，这个电子气会随着栅极电压的变化而移动，形成一个电流。由于GaN材料的高电子迁移率和高饱和电流密度，GaN HEMT具有更高的开关速度和功率密度。

总的来说，GaN HEMT是一种高性能晶体管，适用于高频率和高功率应用领域，如雷达、通信、功率放大器等。
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【氮化镓】p-GaN 栅 HEMT栅极可靠性及其退化机制
荷塘阅色
05-15 2396
本文研究了具有再生长p-GaN栅极和AlN/SiNx堆叠钝化的常关型高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅极可靠性及其退化机制。通过比较两种设计结构下的正向漏电流，确定了传导机制为Fowler-Nordheim（F-N）隧穿，该机制下电流与温度无关，当Pd/p-GaN肖特基结在高电场下时。即使对于再生长的p-GaN栅极，首先出现的是肖特基结的失效，导致栅极电流急剧增加。通过采用幂律和指数律作为外推拟合，分别估计了在室温下10年寿命内故障率为1%时的最大栅极操作电压约为6.87 V和6.07 V。
【氮化镓】GaN HEMT失效物理和可靠性
荷塘阅色
04-18 1808
本文是一篇关于AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）的失效物理和可靠性研究的综述文章，发表在2013年10月的《IEEE Transactions on Electron Devices》上。文章由Enrico Zanoni等人撰写，主要关注了影响栅极边缘和肖特基结的失效机制，并探讨了提高这些器件可靠性的方法。
第三代半导体GaN HEMT基本结构与关键参数介绍
04-11
内容概要： 本资源介绍第三代半导体材料之一的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的基本结构和关键参数。涵盖了GaN HEMT的工作原理、材料特性、结构组成和电气参数等方面的内容，以及该器件在功率电子、射频微波和光电子等领域的应用。本资源旨在帮助读者了解GaN HEMT的基本原理和特性，以及在实际应用中的选择和设计。 使用人群： 本资源适合从事半导体器件设计、功率电子、射频微波和光电子等领域的工程师、科研人员和学生，以及对半导体器件和电子技术感兴趣的读者。 使用场景： 本资源可以用作半导体器件课程的参考教材，也可以作为工程师、科研人员和学生的学习资料。此外，对于从事半导体器件设计和制造、功率电子、射频微波和光电子等领域的工程师，本资源可以帮助他们更好地理解GaN HEMT器件的特性和应用，提高他们的设计和开发能力。
HEMT(高电子迁移率晶体管)介绍
08-12
高电子迁移率晶体管的基础知识，帮助化合物半导体的初学者了解这种新型的器件。
器件（三）：一文读懂GaN HEMT
2301_81685935的博客
10-24 6888
一直想琢磨开关管的器件选型，但一直不知道从哪里下手。最近有幸获得了一些启发，就决定先从材料方面入手，好好聊聊不同材料开关管的器件选型。
GaN HEMT
weixin_42000717的博客
08-09 721
GaN HEMT
GaN器件的工作原理
weixin_45293089的博客
10-12 5167
图2.4（a）给出了AlGaN/GaN HEMT 器件工作时的偏置情况，栅极加负压，漏级加正压，源极接地，通过改变偏置电压，来实现器件不同的工作状态。较大时，沟道夹断点向源极方向移动，在沟道与漏区之间形成一段耗尽区，此时电子在耗尽区的漂移速度达到了饱和速度，不再随电场发生变化，输出电流也不再随电压变化。这一区域称为饱和区。的增加，源漏电流随漏电压近似线性升高，电子迁移率可以被认为是一个常数，则v = μE(x)，此时，器件输出电流为，在 0 V 的栅极电压下，栅极下方的沟道被完全耗尽，漏极电流不流过。
GaN HEMT：未来功率半导体
jkh920184196的博客
09-11 1289
ROHM 的 GaN IC 的冷却要求较低，最大限度地减少了对散热器和其他冷却机制的需求，进一步减少了物理电路板空间。然而，与硅基器件相比，GaN 器件产生的热量更少，需要的冷却更少，从而有可能进一步降低客户的能源和维护成本。此外，与大多数集成电路一样，GaN 器件是在硅衬底上开发的，允许开发人员使用预先存在的生产方法和设施来生产 GaN HEMT，只需很少的改造。最后，GaN HEMT 的后期生产运行消耗更少的功率，需要的冷却更少，因此比 SiC MOSFET 运行能耗更低，为消费者节省了额外的成本。
GaN HEMT主要性能指标有哪些？宽禁带材料电性能测试方案
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SMU集电压源、电流源、电压表、电流表以及电子负载等多种功能于一体。此外，SMU还具有多量程，四象限，二线制/四线制测试等多种特性。一直以来，SMU在半导体测试行业研发设计，生产流程得到了广泛应用。同样，对于氮化镓的测试，高性能SMU产品也是不可少的工具。
漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响.docx
07-14
漏压对P-GaN HEMT导通电阻和阈值电压的影响 P-GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）是一种高电子迁移率的晶体管，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等优点。但是，P-GaN HEMT也存在一些缺陷，...
基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
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该模型通过对比分析耗尽型GaN HEMT和增强型p-GaN HEMT的器件结构差异，推导出了描述p-GaN栅结构电压变化的解析公式，并充分考虑了p-GaN栅层的掺杂效应及其物理机制，进一步推导出了栅极电容和栅极电流的解析表达式。文章的结论是，研究团队成功建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件模型，该模型综合考虑了p-GaN层的掺杂效应以及肖特基金属/p-GaN结、p-GaN/AlGaN/GaN结构的物理特性，并在此基础上推导出了有关p-GaN栅结构的关键电压解析公式。
基于物理的分析模型，用于具有场板结构的GaN HEMT的输入、输出及反向电容
weixin_45293089的博客
05-30 925
该论文提出了一种分析模型，用于描述带有场板结构的常开型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在亚阈值区时的输入、输出及反向电容。此电容模型与现有的输出I-V特性模型相结合，提供了一整套解析方程，将器件的物理设计参数与其电气特性联系起来。该模型通过实验对HEMT的特性进行验证，并且相比于有限元分析（FEA）工具中实现的基于物理的模型，所获得的电容模型复杂度大幅降低，因此更适合于迭代设计优化算法的实施。
AlGaN/GaN功率器件多栅指结构设计相关问题
m0_64640666的博客
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本文重点介绍多栅指AlGaN/GaN HEMT功率器件，主要介绍电延迟现象、多栅指结构。
GaN器件特性简介
yyldecsdn的博客
03-14 9785
GaN器件特性简介 本篇文章将介绍GaN器件的特性。 1. 宽禁带半导体(Wide BandGap Semicondutor)缘起 GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用于许多电子设备中，例如全控型电力开关，高频的放大器或振荡器。下面这张图，展示了GaN器件的主要应用场景。 由于本文主要介绍GaN，宽禁带半导体家族的其它成员SiC、GaAs等则不作过多的讨论。因为博主的专业是电力电子，将重点关注GaN器件的在电
D 型 GaN HEMT 在功率转换方面的优势
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lucy15302751079的博客
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图 1：p-GaN 栅极 e 模式和 d 模式 GaN HEMT 器件的简化横截面图（Transphorm）人们尝试了不同的方法，通过对栅极内部或周围进行修改，将 d 模式器件转换为 e 模式。造成这种情况的一个重要因素是 p-GaN e 模式器件的跨导随温度的变化而大幅降低，如图 5 所示。图 4： d 模式和 e 模式 GaN HEMT 器件中AV t与通道 2DEG 薄层电阻的关系（Transphorm）p-GaN 栅极 e 模式和共源共栅 d 模式 GaN HEMT 器件之间的跨导温度响应比较。
先进半导体材料与器件Chapter4
一个会写代码的烤鸭
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Chapter4 化合物半导体场效应晶体管 作者：毛茏玮 / Saint 掘金：https://juejin.im/user/5aa1f89b6fb9a028bb18966a 微博：https://weibo.com/5458277467/profile?topnav=1&wvr=6&is_all=1 GitHub：github.com/saint-000 知乎：https://...
使用Nuwa TCAD软件仿真和设计增强型p-GaN HEMT器件
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第三代半导体材料GaN具有宽禁带、高电子饱和速度和良好导热性等优点，其中GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高电场强度、高迁移率、良好热稳定性，在高频、大功率应用环境下具有突出优势。但大多数AlGaN/GaN HEMT都是常开型，在实际大功率开关应用中不够安全。因此，市场迫切需要AlGaN/GaN HEMT在保持低导通电阻的同时，实现常断工作。为了满足这些要求，本文引入p型GaN插入层结构，利用从p型栅端到二维电子气（2DEG）的空穴注入实现电导调制，有效地降低栅下沟道中的2DEG密度。
gan hemt 优势 csdn
10-14
gan hemt是一种高效功率器件，具有以下优势。 首先，gan hemt具有更高的能量转换效率。相比传统的功率器件，gan hemt的电子运动速度更快，电子能够更快地穿过导体，从而减少了能量的损失。这使得gan hemt在功率转换过程中能够更有效地将电能转化为有用的功率，提高系统整体的能效。 其次，gan hemt具备较高的频率响应能力。由于gan hemt的材料特性和器件结构，它具有更高的移动载流子迁移率和更小的输出电容，可实现在更高的频率范围内运行。这使得gan hemt适用于高速通信和雷达等领域，可以实现更快速、更稳定的信号传输。 此外，gan hemt还具有较低的导通电阻和较高的崩溃电压。低导通电阻意味着gan hemt在工作时能够产生较少的热量，从而降低了散热要求，并延长了器件的使用寿命。高崩溃电压则使gan hemt在高功率应用中具备更好的耐受能力，更能适应复杂的工作环境。 最后，gan hemt还具有较小的尺寸和重量。由于gan hemt的高效性和高频率特性，它可以在更小的空间内实现相同的功率转换功能，从而减小了整个系统的体积和重量。这为现代电子设备的轻薄化和迷你化提供了方便。 综上所述，gan hemt具备高能效、高频率响应、低导通电阻、高崩溃电压以及小尺寸轻重量的优势，使其在功率电子领域具有广泛的应用前景。
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