短沟道效应 & 窄宽度效应 short channel effects & narrow width effects

1. 概念：

Narrow Width Effect: 窄宽度效应

在CMOS器件工艺中，器件的阈值电压Vth 随着沟道宽度的变窄而增大，即窄宽度效应；目前，由于浅沟道隔离工艺的应用，器件的阈值电压 Vth 随着沟道宽度的变窄而降低，称为反窄宽度效应 (reverse narrow width effect)；

Short Channel effects：短沟道效应

在CMOS器件工艺中，当导电沟道长度降低到十几纳米，甚至几纳米量级时，晶体管出现一些效应。这些效应主要包括阈值电压Vth 随着沟道长度降低而降低，载流子表面散射，速度饱和，离子化和热电子效应。

阈值电压 （Threshold voltage）

通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅（backgate）和源极（source）接在一起时形成沟道（channel）需要的栅极（gate）对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道（