DIBL效应小结

最新推荐文章于 2022-08-11 11:40:04 发布
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分类专栏： 半导体仿真 文章标签： Silvaco
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本文链接：https://blog.csdn.net/qq_42381160/article/details/103386385
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最近学习到MOS的DIBL效应，暂时不了解含义。

自我感觉对于IC行业的小MOS才会涉及到，在功率VDMOS(尤其以SiC为材料)应该是不用考虑的。

在上文中也提到了源漏区越来越接近，说明这是在LDMOS中出现的情况，对于功率VDMOS漂移区厚，且在垂直方向，故DIBL效应可以忽略。 

为了缩小MOS的体积才会考虑DIBL效应， 对于功率器件动辄就超过10μm的漂移区而言，忽略不计。

http://www.doc88.com/p-6061500593809.html原网页

唐潇棠
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