hvt的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高,其泄露功耗最小;
对于NPN的晶体管是n型半导体,其导电是电子,P衬底多子是空穴,掺杂越高电子越少,越难以导电,阈值电压上升,泄露功耗变少。
对于PNP晶体管是P型半导体,其导电是空穴,N型衬底是电子,掺杂越高空穴越少,越难以导电。
hvt的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高,其泄露功耗最小;
对于NPN的晶体管是n型半导体,其导电是电子,P衬底多子是空穴,掺杂越高电子越少,越难以导电,阈值电压上升,泄露功耗变少。
对于PNP晶体管是P型半导体,其导电是空穴,N型衬底是电子,掺杂越高空穴越少,越难以导电。