后仿真中的必懂之 ffg、ssg、ttg都是啥

目录

一 关于“工艺角”

二 关于“corner case”

三 关于 “g”

四 关于“HVT LVT SVT”

---

一 关于“工艺角”

芯片制造是一个物理过程，存在着工艺偏差（包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等），导致不同批次之间，同一批次不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间情况都是不相同的，MOSFETs 参数变化很大。

工艺角定义：把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是：快NFET和快PFET，慢NFET和慢PFET，快NFET和慢PFET，慢NFET和快PFET。

1. 第一个字母代表NMOS，第二个字母代表PMOS，TFS（Typical、Fast、Slow）都是分别针对不同浓度的N型和P型掺杂来说的。因为NMOS和PMOS在工艺上是独立做出来的，彼此在制造的时候不会影响
2. 但是对于电路，NMOS和PMOS是同时工作的，会出现做出来的NMOS、PMOS速度有快有慢，反应为不同批次或者不同晶片之间mos管的延时略有不一致，所以会出现FF、SS、FS、SF四种情况。
3. 通过Process注入的调整，模拟器件速度快慢，同时根据偏差大小设定不同等级的FF和SS。正常情况下大部分是TT，而以上5种corner在 ± 3 σ \pm 3\sigma±3σ 可以覆盖约99.73%的范围，这种随机性的发生符合正态分布。
4. 同时F类型也指驱动电流是其最大值，而S类型指驱动电流是其最小值（此电流为Ids电流）这是从测量角度解释，也有理解为载流子迁移率（Carrier mobility）的快慢。 载流子迁移率是指在载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。单一器件所测的结果是呈正态分布的，均值在TT，最小最大限制值为SS与FF。
5. 比较关注两个参数，vth和ids，如果要使你的电路风险最小，电路要有足够的裕度，所有的PVT（process、voltage、temperature）组合仿真都通过，process是5个 tt ss ff fs sf，一般情况下最差的情况就是ss、最高温度、最低电压，如果这种情况能够仿真通过，那么这个电路就基本没问题了。若从工艺角度将讲，在只调节 WELL IMP process 的情况下，SS的VTH要高一些，器件翻转会慢，IDS偏小࿰