后仿真中的必懂之 P、V、T、ffg、ssg、ttg、RC 都是啥

目录

一 关于“工艺角”

二 关于“corner case”

三 关于 “g”

四 关于“HVT LVT SVT”

五 关于 “V”

六 关于“T”

七 关于“RC”

---

一 关于“工艺角”

芯片制造是一个物理过程，存在着工艺偏差（包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等），导致不同批次之间，同一批次不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间情况都是不相同的，MOSFETs 参数变化很大。

工艺角定义：把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是：快NFET和快PFET，慢NFET和慢PFET，快NFET和慢PFET，慢NFET和快PFET。