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一 关于“工艺角”
芯片制造是一个物理过程,存在着工艺偏差(包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等),导致不同批次之间,同一批次不同晶圆之间,同一晶圆不同芯片之间情况都是不相同的,MOSFETs 参数变化很大。
工艺角定义:把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是:快NFET和快PFET,慢NFET和慢PFET,快NFET和慢PFET,慢NFET和快PFET。
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芯片制造是一个物理过程,存在着工艺偏差(包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等),导致不同批次之间,同一批次不同晶圆之间,同一晶圆不同芯片之间情况都是不相同的,MOSFETs 参数变化很大。
工艺角定义:把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是:快NFET和快PFET,慢NFET和慢PFET,快NFET和慢PFET,慢NFET和快PFET。