后仿真中的必懂之 P、V、T、ffg、ssg、ttg、RC 都是啥

本文介绍了芯片制造中工艺角的概念,包括ffg、ssg、ttg的含义。工艺角用于描述不同批次间MOSFET参数的变化,通过对工艺偏差的统计分析来评估设计的合理性。文章还讨论了corner case在后端综合中的应用,以及HVT、LVT、SVT三种不同阈值电压工艺库细胞类型在优化设计中的选择策略。

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目录

一 关于“工艺角”

二 关于“corner case”

三 关于 “g”

四 关于“HVT LVT SVT”

五 关于 “V”

六 关于“T”

七 关于“RC”


一 关于“工艺角”

芯片制造是一个物理过程,存在着工艺偏差(包括掺杂浓度、扩散深度、刻蚀程度等),导致不同批次之间,同一批次不同晶圆之间,同一晶圆不同芯片之间情况都是不相同的,MOSFETs 参数变化很大。

工艺角定义:把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是:快NFET和快PFET,慢NFET和慢PFET,快NFET和慢PFET,慢NFET和快PFET。

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