ZYNQ学习之旅--PS_AXI_BRAM(PS与PL通过BRAM进行数据交互)

简介

BRAM（Block RAM）是 PL 部分的存储器阵列，PS 和 PL 通过对 BRAM 进行读写操作，来实现数据
的交互。在 PL 中，通过输出时钟、地址、读写控制等信号来对 BRAM 进行读写操作（关于 BRAM 的操作时序，请参考“RAM IP 核实验”）；而在 PS 中，处理器并不需要直接驱动 BRAM 的端口，而是通过 AXI BRAM 控制器来对 BRAM 进行读写操作。AXI BRAM 控制器是集成在 Vivado 设计软件中的软核，可以配置成 AXI4-lite 接口模式或者 AXI4 接口模式。AXI4-Lite 接口模式的框图如图所示。

AXI4 接口模式的 BRAM 控制器支持的数据位宽为 32 位、64 位、128 位、512 位和 1024 位，而 AXI4-
Lite 接口仅支持 32 位数据位宽。由图 14.1.1 可知，PS 通过 AXI4-Lite 接口访问 BRAM，当使能 ECC 选项时，ECC 允许 AXI 主接口检测和纠正 BRAM 块中的单位和双位错误。AXI BRAM 控制器作为 AXI 总线的从接口，和 AXI 主接口实现互联，来对 BRAM 进行读写操作。针对不同的应用场合，该 IP 核支持单次传输和突发传输两种方式。

BD设计

软件设计

#include "xil_printf.h"
#include "stdio.h"
#include "pl_bram_rd.h"
#include "xbram.h"

#define PL_BRAM_BASE        XPAR_PL_BRAM_RD_0_S00_AXI_BASEADDR   //PL_RAM_RD基地址
#define PL_BRAM_START       PL_BRAM_RD_S00_AXI_SLV_REG0_OFFSET   //RAM读开始寄存器地址
#define PL_BRAM_START_ADDR  PL_BRAM_RD_S00_AXI_SLV_REG1_OFFSET   //RAM起始寄存器地址
#define PL_BRAM_LEN         PL_BRAM_RD_S00_AXI_SLV_REG2_OFFSET   //PL读RAM的深度

#define START_ADDR          0  //RAM起始地址 范围:0~1023
#define BRAM_DATA_BYTE      4  //BRAM数据字节个数

char ch_data[1024];            //写入BRAM的字符数组
int ch_data_len;               //写入BRAM的字符个数

//函数声明
void str_wr_bram();
void str_rd_bram();

//main函数
int main()
{
    while(1)
    {
        printf("Please enter data to read and write BRAM\n") ;
        scanf("%1024s", ch_data);        //用户输入字符串
        ch_data_len = strlen(ch_data);   //计算字符串的长度

        str_wr_bram();                   //将用户输入的字符串写入BRAM中
        str_rd_bram();                   //从BRAM中读出数据
    }
}

//将字符串写入BRAM
void str_wr_bram()
{
    int i=0,wr_cnt = 0;
    //每次循环向BRAM中写入1个字符
    for(i = BRAM_DATA_BYTE*START_ADDR ; i < BRAM_DATA_BYTE*(START_ADDR + ch_data_len) ;
            i += BRAM_DATA_BYTE){
        XBram_WriteReg(XPAR_BRAM_0_BASEADDR,i,ch_data[wr_cnt]) ;
        wr_cnt++;
    }
    //设置BRAM写入的字符串长度
    PL_BRAM_RD_mWriteReg(PL_BRAM_BASE, PL_BRAM_LEN , BRAM_DATA_BYTE*ch_data_len) ;
    //设置BRAM的起始地址
    PL_BRAM_RD_mWriteReg(PL_BRAM_BASE, PL_BRAM_START_ADDR, BRAM_DATA_BYTE*START_ADDR) ;
    //拉高BRAM开始信号
    PL_BRAM_RD_mWriteReg(PL_BRAM_BASE, PL_BRAM_START , 1) ;
    //拉低BRAM开始信号
    PL_BRAM_RD_mWriteReg(PL_BRAM_BASE, PL_BRAM_START , 0) ;
}

//从BRAM中读出数据
void str_rd_bram()
{
    int read_data=0,i=0;
    //循环从BRAM中读出数据
    for(i = BRAM_DATA_BYTE*START_ADDR ; i < BRAM_DATA_BYTE*(START_ADDR + ch_data_len) ;
            i += BRAM_DATA_BYTE){
        read_data = XBram_ReadReg(XPAR_BRAM_0_BASEADDR,i) ;
        printf("BRAM address is %d\t,Read data is %c\n",i/BRAM_DATA_BYTE ,read_data) ;
    }
}