EMC（4）——电磁场的分析与屏蔽原理

前言

在我们的日常生活中，电磁场无处不在，我们使用的电子设备也身处其中，他们本身也会产生电场或磁场，相距较近时就会相互影响，所以，我们才会考察产品的辐射和辐射抗扰度，使得它们能够“友好相处”。

电磁场的分析方法

一般有路的分析和场的分析；路的分析，就是根据电路理论来分析电磁场特性；场的分析，就是根据电磁场理论分析电磁场的特性。

看图，屏蔽机理分析，根据电路理论，电磁场入射到屏蔽机箱，由于机箱的阻抗很低，电磁场会在屏蔽体上感应出涡流。其实就是电磁场穿过闭合回路感应出电流，此时机箱表面一圈圈电流，有点像水的漩涡，故称作涡流，像上面图中的红色虚线，就是涡流环路！
（注意这里说的是变化的电磁场，因为根据法拉第电磁感应定律，如果是静电场或静磁场，闭合回路磁通量不产生变化，也就不会产生涡流了。）
那么，有涡流，电流又会产生电磁场，由于和原来的电磁场方向相反，此时就会抵消原电磁场，这就是屏蔽效能使用电路分析的原理。
所以，提到电磁场，必须要了解电磁场的传播特性，在大家看书时，都会提到电磁场的波阻抗。
这是自由空间波阻抗图。
分析电磁波在空间传输的特性时，波阻抗是一个非常重要的概念…波阻抗是表征电磁波传输特性的主要参数，波阻抗随电磁波传输特性而变化。说白了就是电磁波在空间传输时的阻抗，一般，电磁场在空间传输，分近场和远场。
近场区：是指到辐射源的距离小于λ/2π的区域；分为电场波阻抗和磁场波阻抗；
如果场源特性以电场为主，则波阻抗很大，称为高阻抗场；
如图，近场区电场的特性，波阻抗很大！
如果场源特性为以磁场为主，则波阻抗很小，称为低阻抗场；
远场区：到辐射源的距离大于λ/2π米的区域，此区域电场分量和磁场分量相当，波阻抗恒定，为377Ω，可认为是均匀平面波。
远场时，为均匀平面波，波阻抗一致！
一般认为交变电压源近场为高阻抗场，主要分量为电场；而交变电流源近场为低阻抗场，主要分量为磁场。
了解自由空间波阻抗有何意义？
其实了解了波阻抗，对电磁场屏蔽很重要！
对于高阻抗场，由于波阻抗很大，主要是依靠反射损耗增加屏蔽效能；因为屏蔽体阻抗很低…阻抗失配。
而对于低阻抗场，由于波阻抗很小，反射损耗已经可以忽略，主要是依靠吸收损耗增加屏蔽效能。因为波阻抗小，屏蔽体阻抗也很小，所以反射不起作用。
后面，要讲的屏蔽知识，也和波阻抗，近场远场特性有关。

电磁场的屏蔽原理

先来看电磁屏蔽概念，屏蔽体对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽，其有效性用屏蔽效能来度量。

电磁波经过屏蔽体，能量减小，这就是电磁屏蔽，其衡量的指标，用屏蔽效能表示。
屏蔽效能是没有屏蔽时空间某个位置的场强E1或H1与有屏蔽时该位置的场强E2或H1的比值，它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度。

这个是对电场的屏蔽效能计算公式，磁场一样。
下面，我们来看，屏蔽体的屏蔽效能应该如何计算，在这里就假设是一个完整屏蔽体，没有孔缝，使用电磁场的分析方法。

这是电磁场入射到屏蔽机箱的模型。
电磁场入射到屏蔽机箱时，由于自由空间波阻抗和屏蔽体阻抗不一样，首先电磁波会产生反射。

第一次反射。
当然，即使有反射，也不会100%反射，此时，还有电磁波穿透屏蔽体，进入屏蔽体材料内部。

这是二次反射，同时，还有一部分能量穿透屏蔽体，进入机箱内部，或者穿出机箱。

这就是穿透的部分。
另外，屏蔽体内部，还会产生多次的来回反射！
那么，在这里，我们把屏蔽体的屏蔽效能可以分解为，反射损耗、吸收损耗、多次反射修正因子。
当然，这些都是反射、吸收的统称，那么，此时来表达屏蔽机箱的屏蔽效能：
SE＝R＋A＋B
其中，SE代表屏蔽效能，R代表反射损耗，A代表吸收损耗，B代表多次反射修正因子。
下面，我们就挨个来看，这些损耗的决定因素！
先来看反射损耗。
反射损耗的计算公式。

后面涉及到的公式，让大家明白这些和什么因素有关，至于公式怎么得来的，不用深究，如果，大家有兴趣，下去了解下，工程上知道采取哪些措施就行。
那么，在这个公式里面，R是反射损耗，Zw是电磁波的波阻抗，Zs是指屏蔽材料本身的特征阻抗。
Zw，远场是是377欧，不变；近场，和场源特性有关；电场，高阻抗，磁场，低阻抗。

屏蔽材料本身阻抗，可以看出来和需要屏蔽的频率、屏蔽材料的电导率、磁导率有关。
不管Zs如何变化，从反射损耗公式可以看出，波阻抗对反射损耗影响很大，波阻抗越高，射损耗越大。
比如，近场电场，主要靠反射损耗，近场磁场，波阻抗很小，反射损耗基本没啥作用，所以，不要指望靠反射屏蔽磁场。

这是远场的反射损耗。

这是近场电场的反射损耗。

这是近场磁场的反射损耗。
Zs是屏蔽体阻抗，D是屏蔽体到源的距离，f是电磁波的频率
对于电场，我们可以看出来，源距离屏蔽体越近，反射损耗越大！
磁场，场源距离屏蔽体越远越好，磁场源距离屏蔽体越近，反射损耗越小。
下面看吸收损耗。
电磁波在屏蔽材料中传播时，一部分能量转换为热能，导致电磁波能量损失，损失的这部分能量称为屏蔽材料的吸收损耗。
这个主要是屏蔽体感应的涡流，由于屏蔽体的阻抗产生发热损耗！
那么，讲到吸收损耗的时候，必须要提一个概念，就是趋肤深度。

这个是趋肤深度的示意图。
电磁场穿过屏蔽体，强度减小到37%时的深度，就是趋肤深度。
屏蔽体越厚，也就意味着屏蔽效能越高，因为电磁波穿透不了屏蔽体。
下面来看吸收损耗的计算。

这个公式，公式的推导我们这里不讲，大家只要知道，吸收损耗和哪些因为有关即可。
在这里，我们从公式可以看出，趋肤深度和屏蔽体厚度、屏蔽的信号频率、屏蔽体电导率、屏蔽体磁导率都成正比。
再来看屏蔽效能中的多次反射修正因子。
电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。

这是反射修正因子的计算方式。
一般，在下列情况下，反射因子都可以忽略：
（1）吸收损耗大于10dB时，可以忽略；
（2）屏蔽体较厚或者频率很高时，吸收损耗很大，可以忽略；
以上这两个，其实是由于吸收损耗大，导致再次反射后的能量较小，所以，反射修正因子可以忽略了。
（3）当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略；
（4）对于电场波，可以忽略。
电场波，波阻抗很大，和屏蔽体阻抗失配很大，所以，基本上把电磁波都反射回去了。