先进半导体材料与器件Chapter4

Chapter4 化合物半导体场效应晶体管

作者： Saint
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一．金属半导体场效应晶体管（MESFET）
二．高电子迁移率晶体管（HEMT）

一．金属半导体场效应晶体管（MESFET）

1.器件结构
2.器件工作原理
3.电流-电压特性

1.场效应晶体管FET
场效应晶体管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。
特点：输入电阻高、噪声低、热稳定性能好、抗辐射能力强。
主要用于大规模和超大规模集成电路中。

场效应晶体管FET（field effect transistor）的分类
– 金属/氧化物/半导体场效应晶体管(MOSFET)
– 结型场效应晶体管 (JFET)
– 金属/半导体结场效应晶体管 (MESFET)
– 高迁移率电子晶体管 (HEMT)
– 调制掺杂场效应晶体管 (MODFET)

三种场效应晶体管的比较

2.器件的工作原理
MESFET的原理结构如下图所示。将源极接地，栅极电压与漏极电压是相对源极测量而得。

正常工作情形下，栅极电压为零或是被加以反向偏压，而漏极电压为零或是被加以
正向偏压。也就是说VG≤0而VD≥0。
对于沟道为n型材料的器件称为n沟道MESFET。

在大多数的应用中是采用n沟道MESFET而非p沟道MESFET，这是因为n沟道器件具有较高的电子迁移率

当没有外加栅极电压且VD很小时，沟道中有很小的漏极电流流通。此电流大小为VD/R。其中R为沟道