Interconnect Bridge and Open Extraction and
UDFM Creation
从芯片布局(GDS)文件中提取缺陷是一项复杂的任务,需要对布局提取工具(如Calibre®)有深入的了解。
Tessent布局提取功能不需要特定的布局提取知识,并且能够提取基于关键区域的桥梁和开口。Tessent断层位置提取工具的输入不是芯片布局(GDS)文件,而是Tessent布局数据库(LDB)为基于布局的诊断创建。概述如图8-55所示
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/924177c7e95aa47755d863daef9e7a4c.png)
从LDB中,可以提取互连桥和开口,并针对每个桥和开口缺陷计算其相应的临界面积。 该工具将所考虑的桥接器写入UDFM文件,并将其打开,作为ATPG的输入,用于生成基于关键区域的桥接器和开放模式。 除了用于ATPG的UDFM文件外,您还可以指示工具创建标记文件,以使用Calibre布局查看器对芯片布局中感兴趣的缺陷进行反注释(突出显示)。
Critical Area Calculation
故障位置的提取可以受到涉及缺陷概率和临界区域的各种设置的影响。
该工具根据可能导致桥或开放断层的粒子大小和密度之间的关系计算临界面积。桥接概率取决于两个相邻物体之间的距离。其中,开放概率取决于网络对象的宽度和长度。图8-56显示了概率、缺陷尺寸、临界面积和λ之间的一般关系,λ是缺陷尺寸和临界面积的乘积。
![](https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/e831143347bc115fc289ddb89760b6d9.png)
根据图8-56所示的计算,最可能导致桥缺陷的颗粒尺寸将被考虑到桥面积计算如图8-57所示。假设的缺陷尺寸被归一化为技术长度[tl]。这意味着,1 tl的值等于技术节点的长度。
在图8-57所示的示例中,同一层上的单元布局中有两个相邻对象(例如metal2),相邻对象之间的距离为两个技术长度。桥接区域的长度为三个技术长度。因此,桥接区域是六个技术squares.
根据应考虑的最大缺陷尺寸信息,如图8-56所示,计算每个桥梁缺陷的临界面积;
对于每个桥缺陷的概率,应考虑相邻物体之间的距离和桥接区域的长度。当相邻物体之间的距离例如仅为1个技术长度且长度例如,桥接区域的长度为10或更多技术长度,见图8-59所示的示例。
当桥接长度例如仅为1个技术长度并且2个相邻物体之间的距离例如为技术长度的10倍或更多时,存在低概率。如图8-60所示