基于MOS缓启动电路笔记

最新推荐文章于 2025-03-16 08:38:24 发布

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剑侠蜀山

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分类专栏： PDN 文章标签： MOS缓启电路

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_42682826/article/details/103395591

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缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。故这三种方式均不适用与大电流场合。
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图 1 电感缓启动电路

图 2 串阻缓启动电路

图 3 NTC缓启动电路
使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性：1、MOS管转移特性，即Id随着Vgs的增大而增大，如图4所示；2、MOS管的米勒电容效应。
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
在这里插入图片描述
图 4 NMOS管的转移特性曲线
对于所有的MOS管而言，其内部均存在寄生电容。以增强型NMOS管为例，其各极之间的寄生电容分别为Cds、Cgs、Cgd，如图5所示。NMOS的状态随Vgs逐渐增加而变化，如图6所示，当Vgs<Vth时，NMOS的DS两极不导通，Vds保持不变，Cgd的电气属性为靠近D极为正极，靠近G极为负极&#

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