DDR4$DDR5

最新推荐文章于 2024-10-18 09:19:24 发布

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分类专栏：硬件电路 DDR5

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_43021446/article/details/112663895

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本文对比DDR5和DDR4的主要区别，包括速率提升至6.4Gbps，电压降至1.1V，引入DFE均衡技术，ODT应用扩展，单颗DRAM容量增大，Burst length增加至16，以及Prefetch的改进。DDR5的这些变化带来了更高的性能和设计挑战。

摘要由CSDN通过智能技术生成

【科普】DDR5 vs DDR4的不同点

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以下文章来源于信号完整性，作者蒋修国
信号完整性
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本公众号由蒋修国于2014年创办 1、分享信号/电源完整性（SI/PI）、电磁兼容性等方面的知识/行业信息 2、不定期举办各类公益活动 3、帮助工程师学习高速电路、RF、EMC和PCB的设计出版过《ADS信号完整性仿真与实战》等书籍
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来源：信号完整性公众号作者：蒋修国
编者注：关于DDR5的内容揭秘的还不是非常多，但是随着规范的release，会有越来越多的相关内容会出来，本文主要是针对本人理解的几个点来做介绍，并不是最完善的，欢迎大家添砖加瓦。

前面也给大家分享了DDR5的仿真与测试，由于规范没有发布，所以很多时候看得并不是很理解。随着DDR5规范发布脚步的越来越近，JEDEC规范的会员到时候就能拿到全文内容。
为了让大家简单而快速的有一些印象，本文只是对DDR5和DDR4不同点的做了一个简单对比：
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下面分别介绍下这表中列举的7个显著不同点：

1、速率

速率是变化是每一代总线必不可少的一部分。DDR5的最高速率可以达到了6.4Gbps，与以往的总线发展一样，在开始阶段6.4Gbps的规范其实还没有完全定义好，看到有些厂商也只做到了4.8G。速率的提升使时序裕量越来越小，给信号完整性设计带来极大的挑战。
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2、电压

电压从1.2V将会变到1.1V，下降了8.3%，这是几代DDR总线以来下降比例最少的一次。说明电子技术的发展，对于低功耗的设计难度越来越大。这么低的电压，其抗干