MOSFET与IGBT孰弱孰强，听我与你细细道来

晶体管主要分为三类：双极晶体管、MOSFET和IGBT。

下表比较了这些晶体管的性能和特性。由于需要驱动电路和保护电路以及缓慢的开关速度，双极晶体管现在几乎从未用于电力电子和开关应用。取而代之的是，根据所需特性有选择地使用MOSFET和IGBT。旁边给出的图显示了30A IGBT和31A超级结型MOSFET（SJMOS）的导通电压特性。
在低电流区域中，MOSFET的导通电压低于IGBT。但在高电流区域中，IGBT的导通电压则低于MOSFET，特别是在高温条件下。IGBT通常以低于20kHz的开关频率使用，因为其开关损耗大于单极MOSFET。

正向特性比较：IGBT与MOSFET

不同类型晶体管的性能比较 

一、MOSFET与IGBT的区别

1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。

2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ。

3、就其应用：根据其特点MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热；高频逆变焊机；通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机，逆变器，变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域。

开关电源(SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。

虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。

本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。

二、导通损耗

除了IGBT的电压下降时间较长外，IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾出现。