Verilog数字系统设计——时序逻辑实验3(RAM和ROM设计)

本文详细介绍了如何使用Verilog编程实现512x8位的ROM和RAM模块,包括各自的端口定义、代码实现及仿真测试过程。在RAM部分,展示了数据的读写操作;在ROM部分,展示了数据的预加载和读取操作。通过测试模块验证了ROM和RAM的功能正确性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

Verilog数字系统设计七

时序逻辑实验3



前言

随着人工智能的不断发展,机器学习这门技术也越来越重要,很多人都开启了学习机器学习,本文就介绍了机器学习的基础内容。

提示:以下是本篇文章正文内容,1. 编程实现512x8的ROM和RAM。
2. ROM、RAM至少应该包含的端口包括地址线、数据线、片选线、读写使能端,复位端和时钟端(其中部分信号线只适用于RAM)。

一、RAM和ROM是什么?

示例:pandas 是基于NumPy 的一种工具,该工具是为了解决数据分析任务而创建的。

二、编程

1.要求:

  1. 编程实现512x8的ROM和RAM。
  2. ROM、RAM至少应该包含的端口包括地址线、数据线、片选线、读写使能端,复位端和时钟端(其中部分信号线只适用于RAM)。
  3. ROM、RAM和总测试模块分别包含在不同的.v文件中。

2.设计思路:

512x8的ROM和RAM,至少需要9位地址线和8位数据位。

3.RAM实现代码:

RAM代码如下:

module RAM98 (Data,Addr,CS,RWEnable,Reset,Clk);
  parameter width=8,msize=512;
  input CS,RWEnable,Reset,Clk;
  input[width:0] Addr;
  input CS;
  inout[width-1:0] Data;
  reg [width-1:0] Data_temp;
  reg [width-1:0] Mem [msize-1:0];
  integer i;
  always @(posedge Clk or posedge Reset)
  begin
    if(Reset)
        begin
           for(i=0;i<msize;i=i+1)
           Mem[i] <= 0;
        end
    else if((RWEnable==1'b1)&&(CS==1'b1))//w
        begin
          Mem[Addr] <= Data;
        end
        
    else if((RWEnable==1'b0)&&(CS==1'b1))//r
        begin
          Data_temp<=Mem[Addr];
        end
    else
        begin
          Data_temp <= 8'bz;
        end
  end
  assign Data=RWEnable?8'bz:Data_temp;
endmodule


测试代码如下:

module RAM98_TS; 
  reg CS_t,RWEnable_t,Reset_t,Clk_t;
  wire  [7:0] Data_t;
  reg [8:0] Addr_t;
  reg [7:0] Data_temp_t;
  initial
    begin
      RWEnable_t = 1;//w
      Reset_t = 1;
      Clk_t = 0;
      Addr_t = 0;
      Data_temp_t = 0;
      CS_t=1;
      #5 Reset_t=0; 
      repeat(10)
        begin
          #5
          Addr_t=Addr_t+10;
          Data_temp_t=Addr_t;
        end
      #70 
      RWEnable_t = 0;//r
      Addr_t=0;
      repeat(10)
        begin
          #5
          Addr_t=Addr_t+10; 
        end  
    end
  assign Data_t=RWEnable_t?Data_temp_t:8'bz;
  always #5 Clk_t=~Clk_t;

  RAM98 myRAM98(
  .Data(Data_t),
  .Addr(Addr_t),
  .CS(_t),
  .RWEnable(RWEnable_t),
  .Reset(Reset_t),
  .Clk(Clk_t)
  );
endmodule


4.RAM仿真测试:

① 数据写入操作
在这里插入图片描述

② 数据读取操作
在这里插入图片描述

5.ROM实现代码:

ROM代码如下:

module ROM98 (Data,Addr,CS,RDEnable,Reset,Clk);
  parameter width=8,msize=512;
  input CS,RDEnable,Reset,Clk;
  input[width:0] Addr;
  input CS;
  output [width-1:0] Data;
  reg [width-1:0] Data_read;
  reg [width-1:0] Mem [msize-1:0];
  integer i;
  always @(posedge Clk or posedge Reset)
  begin

    if(Reset)
        begin
           for(i=0;i<msize;i=i+1)
           Mem[i] <= i;
        end
    else if((RDEnable==1'b1)&&(CS==1'b1))//r
        begin
          Data_read<=Mem[Addr];
        end     
    else
        Data_read <= 8'bz;
  end
  assign Data=Data_read;
endmodule



测试代码如下:

module R0M98_TS; 
  reg CS_t,RDEnable_t,Reset_t,Clk_t;
  wire [7:0] Data_t;
  reg [8:0] Addr_t;
  reg [7:0] Data_read_ts;
  initial
    begin
      RDEnable_t = 1;//r
      Reset_t = 1;
      Clk_t = 0;
      Addr_t = 0;
      Data_read_ts = 0;
      CS_t=1;
      #5 Reset_t=0;
            
      repeat(10)
        begin
          #10
          Addr_t=Addr_t+10;
          Data_read_ts=Addr_t;
        end    
    end
  assign Data_t=RDEnable_t?Data_read_ts:8'bz;
  always #5 Clk_t=~Clk_t;
  ROM98 myROM98(
  .Data(Data_t),
  .Addr(Addr_t),
  .CS(CS_t),
  .RDEnable(RDEnable_t),
  .Reset(Reset_t),
  .Clk(Clk_t)
  );
endmodule


6.ROM仿真测试:

在这里插入图片描述

总结

提示:
以上就是今天要分享的内容,本文仅仅简单介绍了Verilog实现512x8的ROM和RAM,2. ROM、RAM至少应该包含的端口包括地址线、数据线、片选线、读写使能端,复位端和时钟端(其中部分信号线只适用于RAM)。

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