Verilog设计_ROM的实现

半导体存储器用来存储大量的二值数据，是大型数字系统中不可缺少的组成部分。目前半导体存储器可以分为两大类：只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）。本设计实现一个简单的ROM。

文章目录

一、概述

（1）RAM简单分类

（2）ROM简单分类

二、代码实现

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一、概述

半导体存储器用来存储大量的二值数据，是大型数字系统中不可缺少的组成部分。目前半导体存储器可以分为两大类：只读存储器（ROM，Read Only Memory）和随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）。二者最主要的差别是：

• RAM中既可以读出数据也可以写入数据，ROM只能读出数据。
• 断电后RAM中数据全部丢失，ROM中数据可以长期保存。

（1）RAM简单分类

• SRAM（Static Random Access Memory）：静态RAM。SRAM具有更多的晶体管，速度更快，但是容量较小。在此基础上还发展出了同步SRAM（SSRAM，Synchronous SRAM），更适合高速存取。SSRAM与SRAM最主要的差别是SSRAM的读写操作是在时钟脉冲节拍控制下完成，也就是具有明显的时钟脉冲输入端。除此之外还有BRAM（Block Random Access Memory）：随机RAM。
• DRAM（Dynamic Random Access Memory）：动态RAM。与静态相比只有一个电容一个晶体管，刷新需要时间，速度慢，容量较大。

SRAM相比于DRAM，集成度较低，功耗较大，需要更大面积，因此成本更高，常用于cache。而DRAM常用于主存。

 

（2）ROM简单分类

固定ROM：也叫掩膜ROM。

可编程ROM（Programmable Read Only Memory），又可分为：

• 一次可编程ROM（PROM）
• 光擦除可编程ROM（EPROM，Erasable Programmable Read Only Memory） 
• 电擦除可编程ROM（E²PROM，Electrical Erasable Programmable Read Only Memory）
• 快闪存储器（Flash Memory）

E²PROM和Flash Memory广泛用于各种存储卡中，例如各种IC卡、相机存储卡、USB设备、移动存储卡等等。

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总结来说，RAM一般用在需要频繁读写的场合，例如系统缓存。ROM常用于存放不常变化的数据，例如系统程序、数据表、字符代码等。

二、代码实现

实现一个深度为8，位宽为4bit的简单ROM。数据初始化为：0，1，3，5，7，9，11，13。需要通过输入地址addr，输出相应的数据data。

代码实现：

module rom(
             input   clk,
             input   rst_n,
             input [2:0]  addr,
            output reg [3:0]  data_out
         );

         reg [3:0] mem[8];

         always@(posedge clk or negedge rst_n)begin
             if(!rst_n)begin
                 mem[0] <= 4'd0;
                 mem[1] <= 4'd1;
                 mem[2] <= 4'd3;
                 mem[3] <= 4'd5;
                 mem[4] <= 4'd7;
                 mem[5] <= 4'd9;
                 mem[6] <= 4'd11;
                 mem[7] <= 4'd13;
             end
             else begin
                 data_out <= mem[addr];
             end
         end

endmodule

测试波形：

 

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