p型肖特基接触（Schottky contact）

p型肖特基接触（Schottky contact）和p型欧姆接触（Ohmic contact）是两种半导体器件中金属与半导体之间接触的主要形式，它们的区别体现在物理特性、能带结构以及电流-电压特性上。

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1. 物理本质

• 肖特基接触

  • 是由金属与半导体形成的具有势垒的接触，产生整流特性。
  • 当金属与半导体接触时，如果金属的功函数（Work Function, ${\varphi }_m$）比p型半导体的功函数（${\varphi }_s$）低，电子从金属流向半导体，导致形成空穴耗尽区并产生肖特基势垒。

• 欧姆接触

  • 是一种低阻抗接触，不存在明显的势垒，电流可以线性地随电压变化。
  • 当金属与半导体接触时，如果金属的功函数（${\varphi }_m$）比p型半导体的功函数（${\varphi }_s$）高，空穴能够轻松跨越界面，从而形成低接触电阻。

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2. 能带结构

• 肖特基接触

  • 在肖特基接触中，接触界面形成势垒，势垒高度（${\varphi }_B$）为：
    $${\varphi }_B={\varphi }_m-\chi$$
    其中 $\chi$ 是半导体的电子亲和势。
  • 对p型半导体而言，势垒主要限制空穴的流动，表现出整流效应。

• 欧姆接触

  • 欧姆接触中，接触界面不形成势垒。金属的费米能级与半导体的价带对齐，使空穴可以自由流动，能带在接触区域处近似连续。

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3. 电流-电压特性

• 肖特基接触

  • 电流-电压特性为非线性整流，在正向偏压时，空穴可以克服势垒，电流迅速增加；而在反向偏压时，空穴被阻止流动，反向电流很小。

• 欧姆接触

  • 电流-电压特性为线性，电阻很小，空穴可以自由跨界面流动，接触无方向性限制。

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4. 实际应用

• 肖特基接触

  • 用于整流器件（如肖特基二极管），适用于高频开关电路或低功耗场景。
  • 有时也用于传感器中，用以利用整流特性或能带结构的敏感性。

• 欧姆接触

  • 用于器件的电极接触，如场效应晶体管（FET）源漏极或双极型晶体管（BJT）的发射极，确保良好的电流传输。

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总结

特性	肖特基接触	欧姆接触
接触电阻	高	低
电流-电压特性	非线性（整流特性）	线性
能带特性	有势垒	无明显势垒
功函数关系	${\varphi }_m<{\varphi }_s$	${\varphi }_m>{\varphi }_s$
应用场景	整流器件、高频器件	器件电极接触