不同类型的金属-半导体接触

根据图中四种不同的能带结构，可以判断
不同类型的金属-半导体接触。=

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(a) 肖特基接触 (n 型半导体，${\varphi }_m>{\varphi }_s$)

• 描述：

  • 在接触界面处，半导体的导带和价带向上弯曲，形成势垒。
  • 费米能级对齐后，金属和半导体之间形成明显的肖特基势垒 (Schottky Barrier)，阻止电子从半导体流向金属。
  • 这种情况下，金属的功函数 ${\varphi }_m$ 大于半导体的功函数 ${\varphi }_s$，使得接触表现出整流特性。

• 特征：

  • 能带弯曲向上。
  • 电流呈非线性特性。

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(b) 欧姆接触 (n 型半导体，${\varphi }_m<{\varphi }_s$)

• 描述：

  • 在接触界面处，半导体的导带弯曲向下。
  • 这种情况形成低势垒或无势垒的接触，使得电子可以自由地从半导体流向金属，或者从金属流向半导体。
  • 功函数 ϕ m \phi_m