双极权电阻网络串联电阻阻值推导

最近学习权电阻网络D/A转换器,课本上(阎石主编,高等教育出版社,P391)指出双极权电阻网络串联电阻阻值为 R s = 8 R R_s=8R Rs=8R,未做推导,遂自己尝试。

普通n位权电阻网络需要阻值大小与n指数相关的电阻,这在n较大时极为不合适,双极权电阻网络克服了这一缺点。电路图如下(图源课本):
权电阻网络

图1 4位权电阻网络AD转换器

双极全电阻网络

图2 8位双极权电阻网络AD转换器

思路:证明8位双极权电阻网络与8位普通权电阻网络等效,由图2推导出 v o v_o vo表达式,与普通权电阻网络 v o ′ v'_o vo对比。
以下推导选取电流参考方向为从左到右,从下到上,电压参考方向左正右负,下正上负。



设流经 R s R_s Rs的电流为 I s I_s Is,电压为 V s V_s Vs。由虚短,运放负引脚电位为0,输出电压
v o = − I ⋅ R 2 (1) v_o=-I\cdot\frac{R}{2} \tag{1} vo=I2R(1)
所以求出流经运放负反馈电阻 R 2 \frac{R}{2} 2R的电流大小 I I I即可。电路以 R s R_s Rs分为左右两部分,由虚断 I = I s + I 2 (2) I=I_s+I_2 \tag{2} I=Is+I2(2)其中 I 2 I_2 I2是右边四个电阻电流之和。易知 I 2 = V R E F 2 3 R ( 2 0 d 4 + 2 1 d 5 + 2 2 d 6 + 2 3 d 7 ) (3) I_2=\frac{V_{REF}}{2^3R}(2^0d_4+2^1d_5+2^2d_6+2^3d_7) \tag{3} I2=23RVREF(20d4+21d5+22d6+23d7)(3)其中 d i d_i di表示开关 s i s_i si V V E F V_{VEF} VVEF (值1) 还是接地 (值0)。关键是求 I s I_s Is

考察左半部分电路,分析知当开关 s i s_i si接入方向不同,流经支路电阻的电流方向不同——记支路电阻电压电流 V l V_l Vl I l I_l Il,开关接入 V R E F V_{REF} VREF时, V l = V R E F − V s V_l=V_{REF}-{V_s} Vl=VREFVs I l = V R E F − V s 2 3 − i R ; I_l=\frac{V_{REF}-{V_s}}{2^{3-i}R}; Il=23iRVREFVs开关接地时, V l = − V s V_l=-V_s Vl=Vs I l = − V s 2 3 − i R I_l=-\frac{V_s}{2^{3-i}R} Il=23iRVs。考虑左边四个支路电流之和,有 I s = ( V R E F − V s ) ⋅ ∑ i , ( d i ≠ 0 ) 1 2 3 − i R − V s ⋅ ∑ i , ( d i = 0 ) 1 2 3 − i R (4) I_s=(V_{REF}-V_{s})\cdot\sum_{i,(d_i\neq0)}\frac{1}{2^{3-i}R}-V_s\cdot\sum_{i,(d_i=0)}\frac{1}{{2^{3-i}R}} \tag{4} Is=(VREFVs)i,(di=0)23iR1Vsi,(di=0)23iR1(4)其中 i = 0 , 1 , 2 , 3 i=0,1,2,3 i=0,1,2,3。注意到 V s V_s Vs是我们不想要的,我们想要 v o v_o vo表达式中只含 R s R_s Rs一个未知量,以便于与 v o ′ v'_o vo比较求出 R s R_s Rs。考虑 V s = I s ⋅ R s V_s=I_s\cdot R_s Vs=IsRs,代入化简得 I s = V R E F 15 R s + 8 R ⋅ ∑ i = 0 , 1 , 2 , 3 2 i d i (5) I_s=\frac{V_{REF}}{15R_s+8R}\cdot\sum_{i=0,1,2,3}2^id_i \tag{5} Is=15Rs+8RVREFi=0,1,2,32idi(5)

补充化简步骤如下:
由(4)式得
I s = V R E F ⋅ ∑ i , ( d i ≠ 0 ) 1 2 3 − i R − V s ⋅ ∑ i = 0 , 1 , 2 , 3 1 2 3 − i R I_s=V_{REF}\cdot\sum_{i,(d_i\neq0)}\frac{1}{2^{3-i}R}-V_s\cdot\sum_{i=0,1,2,3}\frac{1}{{2^{3-i}R}} Is=VREFi,(di=0)23iR1Vsi=0,1,2,323iR1
两边乘以 2 3 R 2^3R 23R,并把 V s = I s ⋅ R s V_s=I_s\cdot R_s Vs=IsRs带入,得
2 3 R ⋅ I s = V R E F ⋅ ∑ i , ( d i ≠ 0 ) 2 i − I s R s ⋅ ∑ i = 0 , 1 , 2 , 3 2 i 2^3R\cdot I_s=V_{REF}\cdot\sum_{i,(d_i\neq0)}2^i-I_sR_s\cdot\sum_{i=0,1,2,3}2^i 23RIs=VREFi,(di=0)2iIsRsi=0,1,2,32i
对求和符号变个形,得到
8 I s R = V R E F ⋅ ∑ i = 0 , 1 , 2 , 3 2 i d i − 15 I s R s 8I_sR=V_{REF}\cdot\sum_{i=0,1,2,3}2^id_i-15I_sR_s 8IsR=VREFi=0,1,2,32idi15IsRs
提取出 I s I_s Is,即得(5)式

代入(2)式和(1)式,得 v o = − V R E F 30 R s R + 16 ⋅ ∑ i = 0 , 1 , 2 , 3 2 i d i − V R E F 2 8 ⋅ ∑ i = 4 , 5 , 6 , 7 2 i d i (6) v_o=-\frac{V_{REF}}{30\frac{R_s}{R}+16}\cdot\sum_{i=0,1,2,3}2^id_i-\frac{V_{REF}}{2^8}\cdot\sum_{i=4,5,6,7}2^id_i \tag{6} vo=30RRs+16VREFi=0,1,2,32idi28VREFi=4,5,6,72idi(6)对比8位普通全电阻网络AD转换器 v o ′ = − V R E F 2 8 ⋅ ∑ i 2 i d i v'_o=-\frac{V_{REF}}{2^8}\cdot\sum_i2^id_i vo=28VREFi2idi可知 30 R s R + 16 = 2 8 30\frac{R_s}{R}+16=2^8 30RRs+16=28,所以 R s = 8 R (7) R_s=8R \tag{7} Rs=8R(7)

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### 回答1: IGBT驱动电阻的选择要考虑多个因素,包括IGBT的工作电压、最大电流、最大功率、驱动电平和频率等。以下是具体的选择方法: 1. 工作电压(Vce):选取的驱动电阻电压要略高于IGBT的Vce,以确保稳定的驱动和减少开关过程中的功率损失。 2. 最大电流(Ic):驱动电阻的额定电流应略高于IGBT的最大电流,以确保能够承受瞬时高电流的冲击。 3. 最大功率(P):驱动电阻的额定功率要大于IGBT的最大功率,以确保在高电压和高电流工作情况下不会引起烧坏或损坏。 4. 驱动电平(Vg):一般来说,驱动电阻的额定电压应略高于IGBT的门级电压,这有助于确保IGBT在启动和关闭时都能获得足够的电压。 5. 频率(f):驱动电阻的响应时间和带宽也应考虑,以确保在高频率下,驱动电阻具有足够的速度和稳定性。 总之,在选择IGBT驱动电阻时,需要综合考虑以上因素,以确保最终的选择满足IGBT的设计要求,并具有稳定、可靠的工作性能。 ### 回答2: IGBT(绝缘栅极型晶体管)是一种关键的开关元件,在许多应用领域中广泛使用,例如电力电子、工业自动化和交通运输等。在IGBT电路中,驱动电阻是一个重要的参数,其选择对于电路的性能和稳定性起着重要的影响。 首先,需要确定IGBT的工作电压和电流范围,以便选择恰当的驱动电阻。一般而言,驱动电阻的额定电压应该高于IGBT的最大电压,而推荐的电流应该大于IGBT导通电流的最小值。此外,还要考虑IGBT的开关速度和驱动电路的响应时间,以确保驱动电阻的电流特性能够满足电路的需求。 其次,需要考虑电阻的功率耗散和散热问题。选择驱动电阻时应注意其额定功率与IGBT的功率损耗比较,以及必要的散热条件是否能够满足。通常情况下,电阻的功率耗散过大会导致温度升高,从而影响电路的可靠性和寿命。 最后,根据应用环境和需求,选择适合的电阻封装方式和阻值范围。一般而言,表面贴装电阻体积小,适合高密度集成电路;而插件式电阻结构简单,散热条件优越,适合高功率应用。 综上所述,选择合适的IGBT驱动电阻需要考虑多方面的因素,包括工作电压和电流、电路特性和应用需求等等,需要根据具体情况进行定制化选择和优化设计。 ### 回答3: IGBT驱动电阻是IGBT驱动电路中比较重要的一个元件,它的主要作用是控制IGBT的开关状态,保证其能够正常工作。在选择IGBT驱动电阻时,需要考虑以下几点: 第一点,电阻值选择。为了保证IGBT驱动电路能够正常工作,电阻阻值需要根据IGBT的额定电流和电压进行选择。通常情况下,选择的电阻值应该是IGBT额定电流和电压的比值得到的数值。 第二点,功率选择。另外一个需要考虑的因素是电阻的功率,即能够承受的最大功率。在选择时,应该根据IGBT的最大功率来选择合适的电阻功率,以保证电路能够正常工作,并且不会造成电阻过热而损坏。 第三点,稳定性选择。选择时还需要注意电阻的稳定性,以保证其在一段时间内能够保持稳定的电阻值,并且不会因为温度变化而导致电阻值的变化。 总之,在选择IGBT驱动电阻时,需要综合考虑以上几点因素,以确保电路能够安全稳定地工作,并且不会对IGBT造成损害。
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