EG2104、IR2104自举电容的举例分析

知识点：

1.mos的导通条件Ugs>Uth

2.电容两端的压差不能突变，是压差！压差！不能突变。而电容两端的电压可以突变。

还要强调一下：压差不能突变，但不意味着压差不能变。对电容充放电还是可以使压差变化的。

举个例子感受一下电容两端的电压不能突变，而两端电压可以突变：

如图电容左端电压为UA=5V，右端电压为UB=1V，当UB突然变为2V，求UA的电压是多少？

解：

先求出电容两端的压差为Uc=UA-UB=5-1=4V，容易混淆的是不能突变说的就是Uc，而不是UA、UB。

当UB突然变为了2V时，根据电容两端的压差不能突变的特性，也就是电容两端的压差相减仍然时4V，

则Uc=UA-UB ===> 4=UA-2 ==> UA=6V 则新的UA=6V，UB=2V而电容两端的压差Uc=6-2=4V（Uc没有变突变）

数学上的理解是：x=a-b 和 x=（a+2）-（b+2）结果不变！

实例：

已经知道的条件：

mos的打开条件：Ugs大于导通电压（Ugs>Uth）

自举电容Uc2=VB-VS

Q1的Ugs=HO-VS

Q2的Ugs=LO-GND=LO-0=LO  

可以看出：上桥Q1须要HO-VS>Uth才能导通，下桥Q2只需要LO为高电平就可以导通。

过程：

1.下桥Q2打开后（也就是LO为高电平），此时VS的电压被拉低到地，同时电容C2充电，电容左右两端的压差理想条件是 Uc2=VB-VS=VCC-GND=12-0=12V

2.当下桥关闭，上桥打开时（HO为高电平），VS前一瞬间为地所以可以打开，而后一瞬间VS被拉高到了600V。因为二极管D3的存在，所以电容C2无法放电，导致C2两端的压差仍然是12V（VB-VS=12V），又因为电容两端的压差不能突变（UC2=12V），所以VS突变的时，VB也会突变，保持UC2=12V。到这里已经分析完毕，还有一个疑问就是，Q1的栅极接的是HO，而自举电容似乎无法影响到HO只能影响到VB，笔者猜测VB和HO，应该在HO输出为高电平时芯片内部将两者接在了一起，使VB=HO。

注意：自举电容充完电后会放电，所以上管无法一直导通，上管一直导通的办法是，输入占空比50％的PWM。