4-2 功率MOSFT和BJT

功率MOSFET构造

        以N通道MOSFET为例，如图1，该功率器件由覆盖在硅晶片表面的许多小型并联增强型MOSFET单元组成，其中n-代表耗尽区。

图1

        如图2所示，导通状态下，具有足够大的正栅源电压。然后在栅极下面的p区表面形成通道。这个通道被称为反转区，它包含能够在漏极和源极之间传导电流的移动电子。漏极电流流过n -漂移区、通道、n区，并通过源触点输出。器件的导通电阻是n-区、通道、源极和漏极触点等的电阻之和。

图2

经典的N沟道MOSFET静态开关特性如图3所示

图3

宽禁带FET

目前有两种主流的带隙晶体管SiC和GaN，和传统硅基晶体管相比，可以实现更高的击穿电压，更低的导通电阻和更快的开关时间。

MSFET驱动器

当使用N沟道MOSFET时，一定要考虑自举电容。

如图4所示，对于Q1，假如控制Q1的PWM幅值为3.3V，当Q1导通时，Q1的源极电压约等于Vg，此时Vgs会变为负值，Q1关断。因此要在Q1上添加自举电容，目的是抬高Q1的PWM幅值。

图4 

 BJT构造

BJT构造如图5所示

图5 

其静态特性如图6所示，分为截止区、放大区、准饱和区、饱和区。

图6