功率MOSFET构造
以N通道MOSFET为例,如图1,该功率器件由覆盖在硅晶片表面的许多小型并联增强型MOSFET单元组成,其中n-代表耗尽区。
图1
如图2所示,导通状态下,具有足够大的正栅源电压。然后在栅极下面的p区表面形成通道。这个通道被称为反转区,它包含能够在漏极和源极之间传导电流的移动电子。漏极电流流过n -漂移区、通道、n区,并通过源触点输出。器件的导通电阻是n-区、通道、源极和漏极触点等的电阻之和。
图2
经典的N沟道MOSFET静态开关特性如图3所示
图3
宽禁带FET
目前有两种主流的带隙晶体管SiC和GaN,和传统硅基晶体管相比,可以实现更高的击穿电压,更低的导通电阻和更快的开关时间。
MSFET驱动器
当使用N沟道MOSFET时,一定要考虑自举电容。
如图4所示,对于Q1,假如控制Q1的PWM幅值为3.3V,当Q1导通时,Q1的源极电压约等于Vg,此时Vgs会变为负值,Q1关断。因此要在Q1上添加自举电容,目的是抬高Q1的PWM幅值。
图4
BJT构造
BJT构造如图5所示
图5
其静态特性如图6所示,分为截止区、放大区、准饱和区、饱和区。
图6