模拟CMOS集成电路设计入门学习(5)

共栅级

共栅级在源端首先接受输入,在漏端产生输出栅极接一个直流电压,以便建立适当的工作点。

 上图所示共栅级电路中,M_{1}管的偏置电流流过输入信号源。另一种方法,M_{1}管用一个恒流源来偏置,信号通过电容耦合到电路,如下图所示:

 首先分析大信号特性:{为了简单起见,我们假设V_{in}从一个大的正值开始减小}

①当V_{in}\geq V_{B}-V_{TH}时,M_{1}处于关断状态,所以V_{out}=V_{DD};

V_{in}较小时,M_{1}处于饱和区时,可以得到:

I_{D}=\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{b}-V_{in}-V_{TH})^{2}

③随着V_{in}减小,V_{out}也逐渐减小,最终M_{1}进入线性区,此时(预夹断) :

 V_{DD}-\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{b}-V_{in}-V_{TH})^{2}R_{D}=V_{b}-V_{TH}

小信号增益

M_{1} 处于饱和区时,可列出:V_{out}=V_{DD}-\frac{1}{2}u_{n}C_{ox}\frac{W}{L}(V_{b}-V_{in}-V_{TH})^{2}R_{D}

同时对两边对V_{in}求导,得A_{v}=\frac{\delta V_{out}}{\delta V_{in}}=g_{m}(1+\eta )R_{D}

{     \frac{\delta V_{TH}}{\delta V_{in}}=\frac{\delta V_{TH}}{\delta V_{SB}}=\eta    } 

可见,体效应使共栅级的等效跨导变大了。

下面讨论共栅级的输入阻抗:

 先将该电路的等效电路画出来:

 因为V_{1}=-V_{X}

所以流过r_{o}的电流等于:I_{X}+g_{m}V_{1}+g_{mb}V_{1}=I_{X}-(g_{m}+g_{mb})V_{X}

所以:\frac{V_{X}}{I_{X}}= \frac{R_{D}+r_{o}}{1+(g_{m}+g_{mb})r_{o}}

如果(g_{m}+g_{mb})r_{o}\gg 1

则有\frac{V_{X}}{I_{X}}\approx \frac{R_{D}+r_{o}}{(g_{m}+g_{mb})r_{o}},这表明当从源端看输入电阻时,漏端的阻抗要除以(g_{m}+g_{mb})r_{o},这对于短沟道器件特别重要,因为它们的本征增益很低。

 用一个理想电流源代替电阻R_{D},由上式可知输入阻抗将趋近无穷。{因为流过晶体管的总的电流是固定的,等于I_{1},源级电压的变化并不会引起器件电流的变化,因此I_{X}=0}

所以,只有连接到漏端的负载阻抗很小的情况下,共栅级的输入阻抗才会相对比较低。

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