共源级MOS管饱和区的小信号增益的辅助理解

虽然共源级放大器的应用实在有限，但作为一个集成电路设计学习者，我认为，不断加深对它的理解是非常重要的，就如同初学吉他，一定要坚持爬格子，初学篮球，一定要坚持练习运球。

作为放大器，其最重要的功能就是在大信号的支持下且保证一定精度时强调对小信号的增益。本文介绍一个公式（未必完全通用，但一定满足本文介绍的四种放大器）并加以验证来加深对于小信号增益的理解。

通用公式

$$A_v=G_m(等效跨导)\ast R(带载输出电阻)$$
$$G_m=\frac{A_{vs}(本征增益)}{R_{out}(空载输出电阻)}$$

首先我们知道，对于一个MOS管而言，其本征增益为$A_{vs}=-g_m\ast r_o$,其中，$g_m,r_o$分别为MOS管本身的跨导和沟道电阻（自身输出电阻）。对于小信号而言，负载电阻一定与空载电阻并联，以至于带载电阻一定不大于空载电阻。这就导致了一个必然结果，任何共源级电路的小信号的增益一定不大于MOS管的本征增益，且仅当负载的电阻为$\infty$时，空载输出电阻与带载输出电阻相同，才能达到本征增益。

1、电阻负载共源级

左图中我们可以看到NMOS无体效应，且以电阻为负载，右图是该电路的小信号电路，考虑了沟长调制效应。
我们可以看到，该电路中空载输出电阻是 $r_o$ ，带了负载 $R_D$ 时，输出电阻为 $R_D//r_o$ ，故该电路的小信号增益为
A v = − g m ∗ r o r o ∗ ( R D / / r o ) = g m ∗ ( R D / / r o ) A_v =-\frac{ g_m*r_o}{r_o}*(R_D//r_o)=g_m*(R_D//r_o) Av​=−ro​gm​∗ro​​∗(RD​//ro​)=gm​∗(RD</