Boost芯片改接Sepic拓扑实现升降压

原理图

拓扑分析

     Sepic拓扑结构就是在Boost结构的基础上加入了一个CL环节。然而Boost只能实现升压，而Sepic能够实现升降压。

     当MOS管导通时 ：

      当MOS管截止时：

 

     建立电感L1和L2地伏秒平衡可以得到：

     经过带入整理后可以地到：Vo/Vi = D/1-D。当占空比小于50％降压，大于50%升压。

     需要注意的是理论上Boost芯片都可以实现升降压功能但由于同步整流将续流二极管用MOS管替代，并集成到了芯片内部，无法改接成Sepic拓扑结构。如下图芯片为同步整流无法实现升降压功能。

实物测试

 

     当输入为4V时输出为6.71V，当输入为10V时输出为6.78V。

 

     可以通过改变分压电阻R3R4的取值改变输出电压。