实验3 MOS晶体管电容测试 体效应学习

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前言

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通过本实验，学习使用cadence仿真工具中的calculator，另外复习MOS电容和MOS管体效应的知识。

提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考

3.1 MOS晶体管栅源电容测试

1、创建cellview，按照图3.1所示画出电路，并设置好各元件的参数。

2、用和前面同样的方法设置Analog Design Environment对话框

3、点Netlist and Run

4、参量扫描

在Analog Design Environment 对话框中点tools→Parametric Analysis 弹出Parametric Analysis，按如下设置好参数。然后点Analysis→Start.

5、在Analog Design Environment 窗口中点output→setup弹出如图3.4对话框

6、在图3.4对话框中点Open，打开Calculator对话框

在Calculator对话框中点info→op就会弹出如下对话框：(其中，op代表Operating Parameters)

7、点击电路图中的nmos管，然后点击图3.5对话框中的list则会出现一个下拉列表: (注意：一定要选中所看的元件即nmos管，你可以尝试一下不选择元件的list菜单和选择元件后的list菜单有什么区别。)

8、在下拉列表中选择Cgs(如图3.6),选中后Calculator窗口就会跳到最前面，在它的空白栏处就出现了一个表达式OP(“/M0”,“cgs”)，然后在表达式前加一个负号，要不然画出来的曲线是负值。

Calculator对话框变为如图3.7所示

9、在Calculator对话框中点击plot按钮（即带红色曲线的按钮），就得到如图3.8的波形，即nmos管的栅源电容随栅源电压变化的曲线。

3.2体效应

1、创建cellview
电路图如下，按照图3.9的参数设置，设置好各元件的参数。
路径。

2、设置Analoge Design Environment 对话框
设置好的对话框如下所示，注意别忘了加上库的路径。

3、在Analoge Design Environment 对话框中，点tools→Parametric Analysis
弹出一个新对话框（前面已遇多次）
![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/b77ece46a609465ca2920a3a8745e7db.png
4、点Analysis→Start,得到一组输出波形曲线。波形如下：

5、从波形可以看出当源衬电压越大时，阈值电压越大，也就是mos管的开启电压越大，这是由于体效应的影响。

3.3MOS晶体管电容测试

MOS晶体管电容是指当晶体管的栅漏都短接到地的时候，栅对源，栅对漏，栅对衬底三个电容之和。下面我们将对如何测量MOS晶体管电容做具体分析。电路图还是如图3.9所示，在这里要注意电压源V1，V2的值设为零。

1、设置ADE窗口
设置好的对话框如图3.13所示这里就不细说，只是DC分析只用保存工作点就可以了，注意不要忘了加库的路径,然后点击Netlist and Run。
2、参量扫描
对Vgs做参量扫描，从负三伏到正三伏。PA对话框的设置如图3.14所示：然后在PA对话框中点击Analysis->Start开始扫描。

3、画波形
在ADE窗口中，选Output->Setup弹出图3.15的对话框。
在图3.15中，点击Open，打开Calculator对话框，如图3.16所示，在Calculator对话框中选择Info->op，这时会弹出一个Select an instance的小框，这个时候在电路图中选中mos管，然后点击在Select an instance的小框中点击list就会出现一个列表，选择Cgs，这个时候在Calculator窗口中就出现了Cgs的表达式，这个时候注意要在此表达式前加一个负号(Cgs, Cgd,和Cgb的表达式前面都要加负号)，加负号的方法是在Calculator窗口中点击“+/-”按钮，然后在list下拉列表中再选择Cgd，加负号，这个时候再点击Calculator中的“+”号，此时才完成了Cgs, 和Cgd两个电容的相加。用同样的方法加上Cgb电容，然后点击plot按钮就得到了如图3.17所示的曲线：