单片坤——单总线温度传感器DB18B20的原理和通信时序

最新推荐文章于 2025-03-25 19:06:03 发布

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文章标签：物联网单片机

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一、单总线串行扩展

单总线（也称1-Wirebus）由美国DALLAS公司推出的外围串行扩展总线。只有一条数据输入/输出线DQ，总线上所有器件都挂在DQ上，电源也通过这条信号线供给。
单总线系统中配置的各种器件，由DALLAS公司提供的专用芯片实现。每个芯片都有64位ROM，厂家对每一芯片都用激光烧写编码，其中存有16位十进制编码序列号，它是器件的地址偏号，确保它挂在总线上后，可以唯一被确定。除了器件的地址编码外，芯片内还包含收发控制和电源存储电路，见图11-1。这些芯片耗电量都很小（空闲时几μW.工作时几mW），工作时从总线上馈送电能到大电容中就可以工作，故一般不需另加电源。

二、单总线扩展的典型应用——DS18B20的温度测量系统

1、单总线温度传感器DS18B20简介

DS18520是美国DALLAS公司生产的数字温度传感器，体积小、低功耗、抗干扰能力强。可直接将温度转化成数字信号传送给单片机处理，因而可省去传统的信号放大、A/D转换等外围电路。
如下图所示为单片机与多个带有单总线接口的DS18520组成的分布式温度测量系统，图中多个DS18B20都挂接在单片机的1根I/O口线（即DQ线）上。单片机对每个DS18B20都通过总线以寻址。DQ为漏极开路，须加上拉电阻。DS18520的一种封装形式如下图所示。

片内有9个字节的高速暂存器RAM单元，9个字节具体分布如下：

第1字节和第2字节是在单片机发给DS18B20温度转换命令发布后，经转换所得的温度值，以两字节补码形式存放其中。一般情况下，用户多使用第1字节和第2字节。单片机通过单总线可读得该数据，读取时低位在前，高位在后。
第3、4字节分别是由软件写入用户报警的上下限值TH和TL。
第5个字节为配置寄存器，可对其更改DS18B20的测温分辨率，高速暂存器的第6、7、8字节未用，为全1。第9字节是前面所有8个字节的CRC码.用来保证正确通信。片内还有1个E2PROM为TH、TL以及配置寄存器的映像。

下面介绍温度转换的计算方法：
（1）当DS18B20采集的温度为+125℃时，输出为0x07d0，则:
实际温度=（0x07dO)/16=(0x163+7x162+13x161+0×160)/16=125℃
（2）当DS18520采集的温度为-55℃时，输出为0xfc90，由于是补码，则先将11位数据取反加1得0x0370，注意符号位不变，也不参加运算，则：
实际温度=（0x0370)/16=(0x163+3x162+7x161+0x160)/16=55℃

注意，负号则需对采集的温度进行判断后，再予以显示。

2、温度采集实验

要求：使用DS18B20温度传感器采集当前环境温度、数码管显示检测的温度值，以此达到检测环境温度的要求。

实验仿真原理图：

、

参考代码：

#include "reg51.h"
#include "intrins.h"
#include "seg.h"
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int 
#define out P0
sbit smg1=out^4;
sbit smg2=out^5;
sbit DQ=P3^7;
void delay5(uchar);
void init_ds18b20(void);
uchar readbyte(void);
void writebyte(uchar);
uchar retemp(void);

void main(void)
{
	uchar i,temp;
	delay5(1000);
	while(1)
	{
	 temp=retemp();	
	 for(i=0;i<10;i++)	
	 {
	 out=(temp/10)&0x0f;
	 smg1=0;
	 smg2=1;
	 delay5(1000);	
	 out=(temp%10)&0x0f;
	 smg1=1;
	 smg2=0;
	 delay5(1000);	
	 }
	}

}

void delay5(uchar n)
{
	 do
	 {
	 _nop_();
	 _nop_();
	 _nop_();
	 n--;
	 }
	 while(n);
}

void init_ds18b20(void)
{
	 uchar x=0; 
	 DQ =0;    
	 delay5(120); 
	 DQ =1;    
	 delay5(16);
	 delay5(80);
}

uchar readbyte(void)
{
	uchar i=0;
	uchar date=0;
	for (i=8;i>0;i--)
	 {
		  DQ =0;
		  delay5(1);
		  DQ =1;	
		  date>>=1;
		  if(DQ)
		  date|=0x80;
		  delay5(11);
	 }
 	return(date);
}

void writebyte(uchar dat)
{
		uchar i=0;
		for(i=8;i>0;i--)
		{
			DQ =0;
			DQ =dat&0x01;
			delay5(12);	   
			DQ = 1;	   
			dat>>=1;
			delay5(5);
	  }
}

uchar retemp(void)
{
	uchar a,b,tt;
	uint t;
	init_ds18b20();
	writebyte(0xCC); 
	writebyte(0x44);
	init_ds18b20();
	writebyte(0xCC); 
	writebyte(0xBE); 
	a=readbyte();
	b=readbyte();
	t=b;
	t<<=8;
	t=t|a;
	tt=t*0.0625;
	return(tt);
}

仿真结果：

实物运行：

Keil波形分析：

三、DS18B20通信时序

1、初始化序列

DS18B20的所有通信都由由复位脉冲组成的初始化序列开始。该初始化序列由主机发出，后跟由DS18B20发出的存在脉冲（presence pulse）。当发出应答复位脉冲的存在脉冲后，DS18B20通知主机它在总线上并且准备好操作了。

在初始化步骤中，总线上的主机通过拉低单总线至少480μs来产生复位脉冲。然后总线主机释放总线并进入接收模式。

当总线释放后，5kΩ的上拉电阻把单总线上的电平拉回高电平。当DS18B20检测到上升沿后等待15到60us，然后以拉低总线60-240us的方式发出存在脉冲。

2、写时序

读写时隙

主机在写时隙向DS18B20写入数据，并在读时隙从DS18B20读入数据。在单总线上每个时隙只传送一位数据。

写时间隙
有两种写时隙：写“0”时间隙和写“1”时间隙。总线主机使用写“1”时间隙向DS18B20写入逻辑1，使用写“0”时间隙向DS18B20写入逻辑0。

所有的写时隙必须至少有60us的持续时间。相邻两个写时隙必须要有最少1us的恢复时间。所有的写时隙（写0和写1）都由拉低总线产生。

为产生写1时隙，在拉低总线后主机必须在15us内释放总线（拉低的电平要持续至少1us）。由于上拉电阻的作用，总线电平恢复为高电平，直到完成写时隙。

为产生写0时隙，在拉低总线后主机持续拉低总线即可，直到写时隙完成后释放总线（持续时间60-120us）。

写时隙产生后，DS18B20会在产生后的15到60us的时间内采样总线，以此来确定写0还是写1。

3、读时序

读时序

　　DS18B20只有在主机发出读时隙后才会向主机发送数据。因此，在发出读暂存器命令 [BEh]或读电源命令[B4h]后，主机必须立即产生读时隙以便DS18B20提供所需数据。另外，主机可在发出温度转换命令T [44h]或Recall命令E 2[B8h]后产生读时隙，以便了解操作的状态(在 DS18B20操作指令这一节会详细解释)。

读时间隙

　　所有的读时隙必须至少有60us的持续时间。相邻两个读时隙必须要有最少1us的恢复时间。所有的读时隙都由拉低总线，持续至少1us后再释放总线(由于上拉电阻的作用，总线恢复为高电平)产生。在主机产生读时隙后，DS18B20开始发送0或1到总线上。DS18B20让总线保持高电平的方式发送1，以拉低总线的方式表示发送0.当发送0的时候，DS18B20在读时隙的末期将会释放总线，总线将会被上拉电阻拉回高电平(也是总线空闲的状态)。DS18B20输出的数据在下降沿(下降沿产生读时隙)产生后15us后有效。因此，主机释放总线和采样总线等动作要在15μs内完成。