氮化物 Si3N4-Al2O3-Y2O3-MgO复合物|碳化硅/氮化硅/聚丙烯复合材料|碳纳米管-氮化硅改性聚丙烯复合材料

晶须是在人工控制条件下合成的一种高强度须状的单晶体。其晶体结构比较完整，内部缺陷少，其强度和模量均接近理想晶体。因此，晶须常作为增强组分加到金属基体、陶瓷基体和高分子基体中起增强、增韧作用。

以往关于碳化硅晶须的研究较多。碳化硅晶须的强度和模量确实优于氮化硅晶须，但Si3N4晶须比SiC具有更优良的耐高温、高强度、高模量、低膨胀和良好的化学稳定性，被认为是增强金属和陶瓷材料的理想增强组元。

氮化硅晶须有2种晶型：α-Si3N4和β-Si3N4。两者都属六方晶系。一般认为α-Si3N4属低温稳定晶型，β-Si3N4属高温稳定晶型。在氮化硅晶须生长的过程中，有研究表明其生长具有方向性，且α-Si3N4和β-Si3N4有所差异。α-Si3N4晶须可沿<10-10>、<10-11>和<0001>方向生长。

其中沿<10-10>方向生长α-Si3N4晶须的一侧有大量的微小结晶体；生长方向为<10-11>、α-Si3N4晶须的一侧有大量的复合面缺陷；生长方向为<0001>的α-Si3N4晶须的中间有芯，两侧有平行于（0001）面的缺陷。β-Si3N4晶须的生长方向为<10-10>，且晶须中几乎观察不到任何缺陷。

物化性能

与碳化硅晶须相比，氮化硅晶须具较高的强度，通常其拉伸强度可达13.8GPa，是碳化硅晶须的5倍。还具有高弹性模量（390GPa）、低膨胀系数和良好的化学稳定性。用氮化硅晶须作为增强体时，晶须性能及要求因基体的不同而不同。

氮化硅晶须的制备方法

氮化硅晶须制备方法有气相法、液相法、固相法，常用的方法有直接氮化法、化学气相沉积法、碳热还原法、卤化硅气相氨分解法、自蔓延法等。可以采用等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料，通过在1450℃氮气气氛下，2h热处理，使无定型的氮化硅转化为α相氮化硅，并生长出α-Si3N4晶须。

同时也有研究者采用二氧化碳和石墨为原料分别在1200～1300℃和1250～1400℃流动氮气中制备了α-Si3N4晶须和β-Si3N4晶须。经分析发现α-Si3N4晶须表面光滑，有大量缺陷，且有很多分叉晶须；但β-Si3N4晶须的表面光滑，看不到缺陷，分叉的晶须也很少。

晶须生长的影响因素

1、温度

温度升高有利于提高晶体的转化率。产物在1400℃时两相共存，在1850℃时只有β相。另外，伴随着温度的升高，氮化硅晶体由线状变为长柱状。

2、添加剂

添加剂的选择及用量对于提高氮化率、转化率、晶须生长具有明显的影响。添加剂的使用有利于晶须的制备，但用量过多会使产物纯度降低；用量过少又不足以实现完全氮化。

3、晶须生长中的保护气氛

采用自蔓延高温合成法，指出α-Si3N4的生成与气态反应有关，尤其与气态的一氧化硅和氮气的反应有关。在普通氮气中，含有少量的杂质氧和水蒸气，少量氧有利于SiO的生成，少量水蒸气有利于SiO的氮化，因此普通氮气中α相含量比高纯氮气中高。而另有研究者发现发现，氮气作保护气氛，由于杂质氧引入时的生长出的晶须出现大量的缺陷。当采用氨气作保护气氛时，由于氨气会首先与氧反应，进而保护了氮化硅，使生长的晶须光滑，无明显的缺陷。

4、晶须生长中液相的影响

晶须生长中存在的液相，对晶须的生长行为及组成都有直接的关系，可通过控制液滴的尺寸、组成，来控制晶须的直径和性能。一般认为，对液滴的控制可以自然引入(即从制备晶须的设备中获得)、从原料中引入和通过气相引入的方法。

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